锑化物磁性半导体体材料研究

利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.013μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.      

InSb光学带隙的掺杂调控研究

利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线（111）衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径.      

神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析

利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料．所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震，经受住了严峻的力学环境的考验，完成了材料的空间生长实验，达到了空间生长材料的初步要求．对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析，发现空间生长的GaMnSb是多晶结构．对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析，发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因．由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足，使GaSb单晶部分未能熔化，从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行．