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掺磷纳米硅薄膜的微结构 总被引:4,自引:0,他引:4
采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2~4*#nm的晶粒和2~3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%~55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15~20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征. 相似文献
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PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
使用常规的PECVD(等离子体增强化学汽相沉积)沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜,并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料的纳米硅薄膜的压阻特性,测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数K,其值可以达到80,退火后K值会增加,电阻随压力呈良好的线性关系,但有较大滞后,并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析。本文对nc-Si:H薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。 相似文献
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