VDMOSFET导通电阻的最佳化设计

分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面积导通电阻）最小，并通过大量理论计算给出击穿电压为50V时的最佳单胞尺寸。