MEMS微结构粘附问题研究

阐述了表面工艺制造MEMS时造成粘附现象的主要方面,并对其进行了完整的理论分析,得出粘附力的大小与器件所处环境的湿度、温度和结构的材料、表面情况以及相对运动等因素有关,并简介了各种技术方法在结构防粘附中的应用。     

工艺偏差对压阻式硅微压力传感器性能的影响

工艺实践表明,采用体硅湿法刻蚀工艺加工压阻式微型压力传感器时,敏感膜片会存在厚度偏差,电阻条偏离应力最大区域导致位置偏差,电阻条偏离期望的[110]晶向造成角向偏差.结合工艺实验并借助有限元法分析了上述几种主要工艺偏差对灵敏度、线性度等性能的影响.研究表明,2μm的厚度偏差会使灵敏度下降大约10%,线性度会明显下降;位置偏差会使敏感元件偏离应力最大区域而降低灵敏度:5°的电阻条角向偏差会使灵敏度下降大约3%.相关研究可为最大程度减小工艺偏差的影响提供参考依据.     

一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法

在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异.为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型.     

MEMS冷气推力器的制作和热性能研究

为了研究MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)冷气推力器的热性能,介绍了一种MEMS冷气推力器的设计和制作,该推力器体积小(40mm×20mm×1mm),重量轻(1g),功耗低。对推力器加热丝不同电压和环境下进行了热仿真,对组装到电路板上的推力器模块进行了热测试。结果表明:常温常压下,8V的驱动电压,经过230s后,推力器加热丝的温度可达到80℃以上,与仿真结果趋势相同,可预见真空中,8V电压下可满足推进剂对加热腔温度的需求。