离子注入铜薄膜后的氧化行为

为克服铜易氧化造成薄膜电阻增加、机械性能下降的缺点，采用离子注入技术对铜薄膜表面进行改性研究。离子注入后进行了氧化试验，并结合Ｘ射线衍射和卢瑟福背散射进行了分析。结果表明，离子注入对原有薄膜的电阻影响是很小的； 随注入剂量的增大，抗氧化能力提高；离子注入不但改善了铜薄膜的抗氧化能力，而且氧化行为及氧化层的结构也发生了变化，未经注入的铜薄膜形成的氧化铜以Ｃｕ２Ｏ为主，注入后氧化铜则为Ｃｕ２Ｏ 和ＣｕＯ 的复合结构。离子注入提高了铜薄膜抗氧化性能。     

塑性变形提高形状记忆合金相变滞后机制的探讨

形状记忆合金经适当温度下的塑性变形可以有效地提高马氏体的稳定性,从而使相变滞后得以大幅度提高.本文根据马氏体相变热力学和动力学,并结合相关的实验结果,研究了弹性应变能弛豫和相变滞后的关系.结果表明,塑性变形产生的位错以及变形的第二相颗粒对逆马氏体相变温度的提高具有一定作用,但塑性变形导致应变能释放才是形变提高形状记忆合金相变滞后的主导因素.