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本文利用中国散裂中子源(CSNS)反角白光中子束线开展了45nm工艺XC6SLX150、XC6SLX16两款SRAM型FPGA器件大气中子单粒子效应地面模拟试验,分析获得了器件截面数据并与之前结果进行比较.结果表明,同工艺器件中子单粒子效应截面基本一致,反角白光中子源、LANSCE散裂源及国内14MeV单能中子源单粒子...  相似文献   
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