首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3137篇
  免费   552篇
  国内免费   328篇
航空   2198篇
航天技术   560篇
综合类   316篇
航天   943篇
  2024年   14篇
  2023年   99篇
  2022年   136篇
  2021年   136篇
  2020年   160篇
  2019年   140篇
  2018年   90篇
  2017年   128篇
  2016年   126篇
  2015年   119篇
  2014年   132篇
  2013年   93篇
  2012年   166篇
  2011年   163篇
  2010年   121篇
  2009年   139篇
  2008年   130篇
  2007年   141篇
  2006年   156篇
  2005年   112篇
  2004年   96篇
  2003年   93篇
  2002年   55篇
  2001年   81篇
  2000年   60篇
  1999年   95篇
  1998年   86篇
  1997年   80篇
  1996年   164篇
  1995年   115篇
  1994年   132篇
  1993年   91篇
  1992年   121篇
  1991年   81篇
  1990年   69篇
  1989年   41篇
  1988年   19篇
  1987年   14篇
  1986年   10篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   1篇
  1982年   3篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有4017条查询结果,搜索用时 15 毫秒
181.
本给出了复合式气冷涡轮叶片内冷气流量分配,温增和换热系数迭代求解方法和计算实例。并且,讨论了转动效应对冷气流动和换热的影响。它已成功地应用于高性能推进系统气冷叶片设计,而且,也可用于气冷涡轮叶片改型和膜底分析,验算。  相似文献   
182.
郑子樵 《航空材料学报》1990,10(2):26-31,37
通过时效曲线测量和电镜观察,研究了时效前的预变形对一种Al-Li合金时效行为和显微组织的影响。实验结果表明,时效前的少量预变形加速了时效析出过程,促进了S′(Al_2CuMg)相的析出。此外,经过预变形的试样时效后具有较大的时效硬化量,同时具有较窄的晶界无沉淀带。讨论了晶界无沉淀带形成的机理,分析了预变形和时效组织之间的关系。  相似文献   
183.
作在从事转子动力学研究的实践中,曾两次发现单盘光轴加弹支形式的转子经多次平衡不能减小振动的现象,在盘的不同角度试加配重后,振动响应也不明显减小。经长达数月的研究发现,盘倾斜至某一程度时,转子振动值不仅明显增大,而且用常规的平衡手段无法消除。经对盘轴锥形定位变形的力学分析。发现造成上述情况的原因是设计中对定位锥环变形规律认识不足,致使安装后盘的倾角过大。  相似文献   
184.
孙菊芳  孙冰  相升海 《推进技术》1994,15(1):23-31,22
对某长时间工作的固体火箭发动机复合结构喷管的二维轴对称瞬态温度场及二维轴对称准静态应力场进行了理论预估。温度场的计算采用时间域上的有限差分及空间域上的有限元相结合的方法。应力场的计算采用以位移作为未知量的有限元法。计算中考虑了材料的方向性及物性参数随温度的变化,采用变带宽一维压缩存贮刚度矩阵,节约了大量的内存。计算结果与试验结果吻合较好。  相似文献   
185.
本文主要研究耐久铝蜂窝夹芯结构件生产工艺过程对铝箔强度的影响。找到了铝箔厚度减薄和强度下降的原因,提出了提高耐久芯强度应采取的措施。  相似文献   
186.
铝合金超塑成形技术的发展及其在航空航天领域的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文简略地介绍了铝合金超塑成形技术的发展概况、最新进展及其在航空航天领域中的应用。  相似文献   
187.
通过切削试验认为,NiTi基记忆合金切削加工性差主要是因为切削温度高、刀具易磨损,故宜选用K类硬质合金作刀具材料,且存在最佳切削速度。  相似文献   
188.
分析采用温度计交换法对恒温槽温场温度分布均匀度的测试与计算方法。  相似文献   
189.
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。  相似文献   
190.
以Me_2SiCl_2、MeSiHCl_2(式中Me代表CH_3)或其混合物与NH_3反应制得低分子量聚硅氮烷,该产物是制备Si_3N_4-SiC纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Me_2SiCl_2/MeSiHCl_2混合物氨解反应所需的时间,氨解产物的物理性能、分子量及其分布,着重分析了氨解产物的结构。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号