单一基准径向圆跳动误差的新测量法

用传统的测量方法不能得到单一基准径向圆跳动误差的准确值。根据单一基准径向圆跳动误差的定义建立了该项误差的正交最小二乘评定数学模型。在万能工具显微镜上得到了采样数据并给出了微机数据处理结果。     

万工显误差修正不确定度分析与计算

分析影响万工显测量精度的误差因素，以单项误差修正为基础，对仪器的多项误差进行全面修正，并对修正后的仪器测量不确定度进行分析与计算。     

走向二十一世纪的制造技术—精益生产

精益生产是走向二十一世纪的制造技术，综述了精益生产的内涵和模式。     

GAP/AN推进剂燃烧波温度分布研究

利用先进的双钨铼微热电偶技术, 研究了ＧＡＰ／ＡＮ 推进剂的燃烧波温度分布。ＧＡＰ／ＡＮ推进剂的燃烧波可以分为凝聚相反应区、暗区、气相反应区。硝酸酯ＢＧ及高氯酸铵对ＧＡＰ／ＡＮ 推进剂的燃烧波结构有显著的影响,硝酸酯ＢＧ导致推进剂的燃速降低,压强指数升高;高氯酸铵的影响恰好相反。凝聚相反应的温度梯度及暗区厚度是影响推进剂燃速及压强指数的主要因素。     

铝蜂窝结构件制造工艺与铝箔强度

本文主要研究耐久铝蜂窝夹芯结构件生产工艺过程对铝箔强度的影响。找到了铝箔厚度减薄和强度下降的原因，提出了提高耐久芯强度应采取的措施。     

铝合金超塑成形技术的发展及其在航空航天领域的应用

本文简略地介绍了铝合金超塑成形技术的发展概况、最新进展及其在航空航天领域中的应用。     

注F的MOS电容电高辐射效应研究

对干氧栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳ电容进行了γ射线辐照试验，研究了不同注Ｆ剂量的ＭＯＳ电容电离辐射响应特征。结果表明，注Ｆ能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态，最佳抑制效果的Ｆ注入剂量范围是５×１０１４～２×１０１６Ｆ／ｃｍ２，且受注Ｆ工艺条件制约，少量或过量的Ｆ注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测Ｆ在Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和ＳｉＯ２中的行为将直接影响ＭＯＳ器件的辐照性能。而Ｆ的行为依赖于Ｆ的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。     

Si_3N_4－SiC纤维先驱体──低分子量聚硅氮烷的合成与分析

以Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２、ＭｅＳｉＨＣｌ_２（式中Ｍｅ代表ＣＨ_３）或其混合物与ＮＨ_３反应制得低分子量聚硅氮烷，该产物是制备Ｓｉ_３Ｎ_４－ＳｉＣ纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２／ＭｅＳｉＨＣｌ_２混合物氨解反应所需的时间，氨解产物的物理性能、分子量及其分布，着重分析了氨解产物的结构。     

N－接枝环氧化合物芳纶的表面特性

本文用现代仪器分析研究了Ｎ－接枝环氧化合物芳纶（Ｋｅｖｌａｒ４９）表面的形态、化学结构、结晶性、玻璃化转变及热化学稳定性等表面特性。     

Ni－Ti形状记忆合金的切削试验

通过切削试验证实：Ｎｉ－Ｔｉ形状记忆合金的切削加工性比４５＃铜差，原因在于切削温度比４５＃钢高出３～４倍，致使刀具急剧磨损。切削时以选用Ｋ类硬质合金为宜，且有最佳切削速度。