A multi-fidelity simulation method research on front variable area bypass injector of an adaptive cycle engine

Front Variable Area Bypass Injector(Front-VABI) is a component of the Adaptive Cycle Engine(ACE) with important variable-cycle features. The performance of Front-VABI has a direct impact on the performance and stability of ACE, but the current ACE performance model uses approximate models for Front-VABI performance calculation. In this work, a multi-fidelity simulation based on a de-coupled method is developed which delivers a more accurate calculation of the Front-VABI performance based on Comp...     

磁场作用下的TIG电弧行为分析

在磁流体动力学理论的基础上,针对外加纵向磁场作用下的钨极氩弧焊(TIG)电弧在旋转圆柱坐标系中建立了不同电流密度的数学模型.通过Fluent用户自定义函数进行编程开发,对其流场和电磁场进行耦合求解,得到了外加纵向磁场作用下的TIG电弧热场和流场的分布规律.结果 表明,纵向磁场作用下的TIG电孤温度场呈现空心钟罩形态,并...     

负电子亲和半导体的二次电子发射

根据0.8keV≤Epomax≤5keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性，初级电子产额R，现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据，分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5Epomax≤Epo≤10Epomax, GaN在2keV≤Epomax≤5keV, NEA金刚石的δ在08keV≤Epo≤3keV, GaN在08keV≤Epomax≤2keV的特殊公式;其中Epomax为δ达到最大值时的Epo, Epo为初级电子入射能。推导出了08keV≤Epomax≤5keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算08keV≤Epomax≤5keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明，B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响，从而生产出理想的NEA发射体，如NEA金刚石。