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101.
掺杂纳米硅薄膜的生长特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅薄膜.探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律.利用高分辨电镜(HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨.得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性,即杂质原子绝大部分是非活性的,只有很少一部分在薄膜中起施主作用.大部分非活性的杂质原子存在于晶粒间界. 相似文献
102.
改善高硅耐酸铸铁机械性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用正交试验方法系统地研究了铜、钒、稀土钙钡和熔炼工艺对高硅耐酸铸铁机械性能的影响。通过研究获得了能较好改善高硅耐酸铸铁机械性能的最佳工艺参数。 相似文献
103.
针对高硅铝合金电子封装管壳激光封焊后,焊接接头附近易出现裂纹,产品密封成品率低的问题,提出了一种具有预热-焊接-后处理的激光脉冲波形。通过研究激光封焊工艺参数与管壳焊接结构的作用关系,以及焊接接头部位的微观结构,确定了符合可靠性要求的管壳焊接接头的结构,避免了裂纹等缺陷的发生,并通过了可靠性验证,将其应用到宇航用混合微电路生产中,产品合格率得到了极大的提升。 相似文献
104.
不等径纤维混杂复合材料混杂原理 总被引:4,自引:0,他引:4
对碳化硅-碳(SiCF-CF)/环氧和硼-碳(BF-CF)/环氧2种不等径纤维混杂复合材料的混杂模型和机理进行了初步研究.建立了三角形和四边形阵列的混杂模型;分析了材料制备工艺对混杂阵列、纤维体积含量的影响. 相似文献
105.
106.
SiO2—Si3N4天线窗材料的热学性能和抗热震性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了SiO2-Si3N4天线窗材料的热学性能和抗热震性能。结果表明,复合材料的热膨胀系数、导温系数、导热系数随Si3N4含量的增加而增大,对于同一Si3N4含量的复合材料,三者均随温度的升高而增大,复合材料保持了SiO2基体材料的良好抗热震性。 相似文献
107.
碳/碳化硅复合材料摩擦磨损性能分析 总被引:13,自引:3,他引:13
采用化学气相渗透法制备了碳纤维增强碳化硅(C/C SiC)陶瓷基复合材料,得到不同密度和组分含量的C/C SiC刹车盘试样。对C/C SiC复合材料进行了摩擦磨损性能测试,平均摩擦系数达到 0 23,摩擦稳定性达到0 43,线性磨损率为 9 3μm/次·面,质量磨损率为 2 6mg/次·面。当C/C SiC复合材料的密度增大 (1 6g·cm-3→2 2g·cm-3 ),碳含量增大(35%→55% ),摩擦系数和稳定性提高(约 70% ),且摩擦系数随制动次数增加的波动幅度减小;SiC含量升高则反之。C/C SiC复合材料经过多次刹停测试,摩擦系数对制动次数不敏感,表现出良好的摩擦稳定性。经过连续刹车试验,摩擦系数不随表面的起始和最终温度升高而衰退,材料尚无热衰竭趋势。对C/C SiC刹车盘试样的磨损表面形貌及缺陷进行了观察,发现表面磨损质量在航标允许范围内。 相似文献
108.
109.
采用原位生成钡长石为烧结助剂,研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺,制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳化硅陶瓷的致密化、组织结构及力学性能的影响。结果表明:在1800℃温度下原位生成了BAS相,运用无压液相烧结法制备出了密度达到3.2g/cm3的BAS/SiC复相陶瓷;陶瓷中BAS以六方结构析出、SiC颗粒均匀分布;烧结温度不宜超过1800℃,温度过高将促使碳化硅颗粒长大,损伤陶瓷材料抗弯强度和断裂韧度;当复相BAS/SiC陶瓷中BAS质量分数为30%时,弯曲强度达到413MPa,模量达到210GPa,断裂韧度达到5.03MPa.m1/2。 相似文献
110.