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111.
为了改善会切磁场推力器在低功率下对中低等流量变化的不适应性,采用了一种渐扩的变截面通道设计来提升推力器中低等流量下的性能,对比了两种等截面通道与一种渐扩通道在中低等流量下的性能。虽然渐扩通道与小直径的等截面通道相比,会略微降低通道内的原子密度,但渐扩通道由于减小了出口离子能量损失,同时增大磁镜比促进电离,从而能够提升推力器在同等推力水平下的效率。而大直径等截面通道和小直径等截面通道分别由于原子密度过低及壁面损失较大,性能均不如渐扩通道。因此,渐扩型变截面通道在中低等流量变化范围内具有更优的性能,这对推力器性能的进一步优化具有重要意义。 相似文献
112.
离子发动机羽流空间电位分布不合理可能会造成一系列问题,以至于影响航天器的正常工作。试验使用发射探针对20 cm氙离子发动机束流区等离子体空间电位进行诊断,测点选取轴向距离发动机出口平面250~900 mm,径向0~450 mm,探针钨丝直径0.1 mm,加热电流1.5~2.5 A。发射探针诊断建立在电子热发射基础上,因其I-V曲线拐点较朗缪尔探针更为明显,所以测量得到的空间电位分布更为准确。国外已经广泛使用发射探针测量等离子体空间电位,发射探针的试验数据处理方法仍存在较大分歧。从发射探针工作时的物理过程着手,分析热电子发射多少对空间电位诊断结果的影响,采用不同的探针I-V曲线处理方法并对各种方法利弊进行讨论,分析偏离真实空间电位的原因,比较得到较为合理的结果,对发射探针的结构改造和加热电流的选取提供依据,为发动机性能的改善和羽流仿真模型提供参考。 相似文献
113.
为了研制Cf/SiC复合材料推力器,对Cf/SiC复合材料物理性能进行了试验研究,测试了Cf/SiC复合材料在空间复杂环境下的适应性及力学性能;采用化学气象沉积法制备抗氧化涂层;采用自动缠绕成型工艺制备Cf/SiC复合材料喷管;采用Ti-Ni复合钎料进行了高温钎焊试验,获得了最优的钎焊工艺参数,完成了Cf/SiC复合材料与金属铌的钎焊连接;制备了试验样机并进行了热试车考核.结果表明,Cf/SiC复合材料在经历各种空间环境后,仍可保持良好的力学性能,涂层具有较好的抗氧化能力.热试车过程中,稳态试车室压平稳,脉冲工作时,推力器响应迅速,脉冲一致性好;燃烧效率达到设计要求,钎焊缝结构完好,Cf/SiC复合材料喷管无明显烧蚀,热试车圆满成功. 相似文献
114.
点火延迟是脉冲推力器设计中需要考虑的重要因素之一.为研究点火延迟对自激式脉冲推力器的性能影响,以HAN基(Hydroxylammonium Nitrate)单组元推进剂为例,建立自激式脉冲推力器工作过程的仿真模型,分析了点火延迟时间的变化对推力器的压强、流量、推力及平均比冲的影响规律.结果表明,点火延迟会强化脉冲推力器的压强爬升过程,随着点火延迟时间的增大,一个脉冲循环中的推进剂燃烧持续时间和整个脉冲周期均会明显缩短,同时挤压腔压强峰值和燃烧室压强峰值以及推力器的平均推力水平也会显著升高,但点火延迟的变化基本不会影响脉冲周期内的平均比冲.点火延迟提供了一条调节脉冲工作特性的可能途径,研究点火延迟特性对自激式脉冲推力器的探索与应用具有重要的指导意义. 相似文献
115.
116.
霍尔推力器等离子体磁鞘特性 总被引:2,自引:2,他引:0
为进一步研究霍尔推力器壁面二次电子发射对发动机性能的影响,建立流体模型数值模拟了霍尔推力器磁化二次电子等离子体的鞘层特性,采用Sagdeev势的方法得到了鞘层的玻姆判据,以这个判据为鞘层边界条件数值讨论了磁场、二次电子发射以及不同等离子体对推力器等离子体鞘层结构的影响。结果表明,磁场和二次电子发射系数的增加都将使鞘层中粒子密度增加,鞘层电势升高,鞘层厚度减小;对于氩和氙二种等离子体,氙等离子体产生的鞘层势垒高,粒子密度大,鞘层厚度增加。这些结果直接影响推力器的电子传导机制及性能。 相似文献
117.
直连式脉冲燃烧风洞起动过程研究 总被引:2,自引:0,他引:2
直连式脉冲燃烧风洞的起动过程是一个非常复杂的瞬态过程,采用光电测量系统和数值方法对其进行探索性研究。试验中,光电探测系统在非常短的传输距离上测出了高速起动激波的速度。通过与试验结果对比,验证了所采用的数值方法的可行性。研究表明:起动激波往下游的运动过程具有一定的规律性;由于内型面的变化导致起动激波速度在起动过程中发生变化。 相似文献
118.
119.
采用姿控式直接侧向力/气动力复合控制方式可以显著提高大气层内拦截弹的机动能力,但由于产生侧向推力的脉冲发动机数量有限,必须考虑减少使用数量的问题.除了最优化脉冲发动机点火分配逻辑之外,充分利用气动力也是一种可能的方案.本文基于弹体运动的线性化模型,探讨了在给定攻角响应时间的情况下,最大限度地利用气动力能否节省脉冲发动机点火数目,并对攻角响应所需用的脉冲发动机数量做了离线计算,给出了计算公式. 相似文献
120.