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101.
高速飞行器中大量使用复合材料薄壁结构,高温和强噪声联合作用的工作环境使复合材料薄壁结构表现出强非线性振动响应特性和复杂的运动形式。以四边固支碳/碳(C/C)复合材料薄壁结构为研究对象,采用有限元法计算了其在不同温度和声压级(SPL)组合下的振动响应。得到了典型的振动响应运动形式,包括屈曲前的随机振动、屈曲后的跳变运动和围绕一个平衡位置的随机振动。结合振动响应的概率密度、功率谱密度,随着温度和声压级的变化,对振动响应的非线性特性进行了分析。结果表明,热载荷和声载荷对响应非线性特性的影响方式不同,强噪声载荷引起的问歇跳变降低了结构的刚度。 相似文献
102.
本文首先了介绍响应面法和网格法的基本原理,翼型绕流场分析使用有限体积法空间离散和RUNGE-KUTTA时间迭代格式进行N-S方程计算,由翼型表面压力和摩擦力数值积分得到升力和阻力.然后,以NACA0012和GAw-1为算例,结合响应面法和网格法进行低速翼型的减阻优化设计,算例表明:在应用响应面法进行低速翼型优化时,采用... 相似文献
103.
大展弦比低雷诺数气动布局容易较早出现气流分离,会带来明显的非线性气动力问题。针对此类布局提出了一种建立基于Kriging插值的非线性压力系数分布模型的方法。从Navier-Stokes方程计算的不同状态下飞机的压力系数中提取不同坐标的系数。利用Kriging插值函数建立CFD压力系数对迎角导数的响应面,将插值结果代入偶极子网格法(Double-Lattice Method,DLM)修正其线性方法。利用无限板样条(IPS)方法进行气动结构耦合,实现了有限元结构的非线性气弹响应分析。算例结果验证了方法对于静气弹分析的有效性,同时能准确地反映弹性带来的气动效率的降低和非线性力矩特征。 相似文献
104.
高升阻比自然层流翼型多点/多目标优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
研究并发展了一套进行高升阻比自然层流翼型多设计点/多设计目标的优化设计方法。为减少设计中的计算量,使用了XFOIL程序进行流场计算。使用基于响应面方法的优化方法进行最优化计算,并使用了不含二阶交叉项的二阶多项式模型作为响应面模型,大大减少了构造模型所需的试验次数,使进行更多设计变量和多点设计成为可能。试验点的选择满足D-优化准则。研究了设计点及目标函数的选择,进行了单点/单目标及多点/多目标的设计,结果表明:多点/多目标设计可以很好的改善单点设计中非设计点性能变差的缺点,设计结果有工程实用价值。 相似文献
105.
106.
王文杰 《中国民航学院学报》1997,15(4):21-26
在中国民航电话地球站(TES)系统中,远端站所用的室外单元(ODU)有两种:EFDATA型和HNS的V2型,这两类站在有关频率参数设置上是不同的,这涉及到系统内的频率变换方法。结合这两类站有关参数的设置,详细分析了TES系统的频率变换过程及特点。 相似文献
107.
叶片盘的旋转失速振动响应分析 总被引:6,自引:0,他引:6
稳定气动力状态下的叶片盘的模型由连续系统组成。利用弹性和波动理论以获得叶片盘响应。响应是带有波动模态阻尼的模态解。由模态解,可以得到共振相对转速的表示方法和解释试验中的某些现象,此外,讨论了在气流稳定和失速状态下的广义共振情况。最后得出的结论是:在均匀稳定气流中不出现波动响应,但在失速流动下,波动响应呈随机的波动振动,而此时不产生驻波共振。 相似文献
108.
刘汉辉 《中国民航学院学报》1992,10(4):1-19
本文建议用最坏确定性输入分析(WDI)来取代现用的功率谱密度分析(PSD),作为连续突风设计准则的动力学基础。WDI 分析通过研究一个等概率族中的最坏确定性输入来研究系统的随机响应。对于定常线性系统,WDI 法给出与PSD 法严格一致的结果。但新法给出的是最坏情况并带有时间信息,同时还能处理非定常与非线性问题。采用 WDI 分析以取代 PSD 分析无需改变现用的判据和参数甚至计算程序,就能大大扩大设计准则的应用范围。因此,本建议不仅对于航空的发展有重要意义而且易于实施。 相似文献
109.
本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,急冷中间层接头的剪切强度明显高于普通中间层接头的剪切强度。其中急冷Al-Si-In-Ti-Zn-Mg中间层接头在扩散焊温度为475℃时(保温时间30min,压力为15MPa),强度最高(50MPa)。随着扩散焊温度的提高,接头剪切强度明显下降。断口分析表明:接头均断在界面附近。界面附近的富In相是接头强度的薄弱环节。随着扩散焊温度的提高,富In相尺寸增大,接头强度下降。急冷Al基中间层扩散焊连接Si_3N_4陶瓷的机制是:活性元素Ti向界面扩散富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成界面相TiN,同时中间层中的Al也向界面富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成AIN界面相。 相似文献
110.