内矩形螺旋槽加工及其测量方法

以某型离合器轴为研究对象,对内矩形螺旋槽的加工及测量方法进行了探索、研究,并在生产中得到实际应用,具有广泛的推广价值。     

二元高超声速进气道自起动特性试验

为了研究二元高超声速进气道的自起动特性,针对一带前掠侧板的混压式二元进气道,在来流马赫数为4和3.5状态开展了风洞试验,利用反压系统实现了进气道的起动、不起动和自起动过程.分析试验结果可知,进气道在来流马赫数为4和3.5状态均可自起动,但在来流马赫数为3.5,2°攻角状态不能自起动.当反压过大引起进气道不起动时,侧板根部均存在分离包、分离激波并引起溢流.从不起动状态进气道的流场结构看,该二元进气道的不起动属于软不起动,其机理不同于经典的自起动理论.但是试验结果表明,进气道的自起动马赫数仅略低于自起动理论值.当内压段入口马赫数低于2.5时,采用经典自起动理论估算自起动性能仍具有较高的精度.      

滑油温度传感器内部断路故障原因分析及改进

对某型温度传感器内部断路故障进行分析,通过X光成像、电子显微镜微观检查及对比试验等手段确定故障原因,并提出预防改进措施。     

一体化红外抑制器遮挡和出口修型对后机身表面温度和红外辐射特性的影响

针对与后机身融合的一体化红外抑制器模型,采用数值模拟的方法研究了内部遮挡和出口修型对后机身表面温度场和红外辐射特性的影响。在混合管外部采用遮挡套或曲面遮挡板可有效降低后机身侧壁面对应混合管后段的局部区域最高温度,两种方式均可有效降低水平探测面以及铅垂面上方3~5 μm波段和8~14 μm波段红外辐射强度峰值;然而,加装遮挡套方式会影响旋翼下洗气流的导入,使3~5 μm波段的红外辐射强度在铅垂面下方较基准模型有小幅的增加。对后机身排气口进行出口修型,虽然对降低后机身3~5 μm和8~14 μm波段红外辐射强度的作用效果并不显著,但可以有效消除排气出口下方壁面的高温区,其中采用狭窄流道引气冷却方式可以使得后机身侧壁仅高于环境温度10 K左右。     

氢仲-正转化释冷方案及冷量空间利用潜能分析

调研了氢仲-正转化释冷能力及研究现状,介绍了绝热、连续、等温三种转化方式的释冷潜能与工作特征。针对氢空间长期安全贮存,按照转化器布置位置与转化方式,提出四种冷量空间利用方案。研究发现：氢绝热转化在150 K时释冷量最大,为391 kJ/kg;等温转化在110 K时释冷量最大,为394 kJ/kg;连续转化在出口温度大于200 K后,释冷量稳定在491 kJ/kg。所提四种方案中,由于空间排气温度偏低,造成氢仲-正转化潜能无法充分释放,对贮箱绝热性能提升有限。相较于一次绝热转化,在蒸气冷却盘管内连续转化可较充分利用转化冷能,在氢的空间贮存应优先考虑。     

航天器介质盘环结构内带电特性三维仿真分析

针对航天器内特定结构的内带电（IDC）问题,以航天器典型复杂介质结构——太阳帆板驱动机构介质盘环为研究对象,开展了地球同步轨道恶劣充电环境（Flumic3）下介质内带电三维仿真分析。通过Geant4实现电荷输运模拟,根据电荷守恒定律数值计算得到电场,在此基础上,研究了屏蔽厚度对介质内带电的影响规律,提出了根据屏蔽厚度调整入射电子能谱能量下限以提高计算效率的方法。仿真结果表明,盘环结构内带电最严重部位是盘环最外圈上层介质与金属导电环接触的上边沿;增加屏蔽厚度可以减缓充电风险,但是随着温度降低,屏蔽效果会随之减弱。在地球同步轨道恶劣充电环境（Flumic3）下,当温度低至183 K时,由于辐射诱导电导率成为总电导率的主导部分,从而增大屏蔽的同时也会降低介质电导率,导致即使3 mm铝屏蔽下仍可能出现接近10⁷ V/m的场强峰值。     

肋片扰流对柱肋通道传热和压损影响

针对涡轮叶片内部通道上、下游不同冷却结构的相互影响,采用瞬态液晶实验方法研究了上游90°、60°,V形和W形四种肋片诱导产生的入口条件,对柱肋通道传热分布、强化传热水平和压损的影响,并与无肋片(均匀入口条件)的柱肋通道进行了对比。结果表明,相比于无肋片情况的均匀入口条件,肋片诱导的涡流使柱肋通道底面的传热分布在展向变得不均匀。肋片在增强柱肋底面传热的同时降低了通道压损,从而提升柱肋通道的综合换热效率(但整体通道的流动损失增加了)。其中,W形和90°肋片使柱肋通道具有最高的传热效率,其次是V形和60°肋片,不带肋片的情况的综合传热效率最低。      

模糊内模控制的永磁无刷直流电机控制研究

永磁无刷直流电机在日常生活和工业领域中有着广泛的应用。随着控制要求的不断提升,传统双闭环永磁无刷电机控制系统已逐渐无法满足实际需求。针对控制要求,提出了内模控制与模糊控制相结合的驱动方式。在内模控制与双闭环控制相结合的基础上加入了模糊控制,电流环采用内模PI控制,转速环采用内模PI与模糊的共同控制。试验结果表明:基于模糊内模控制的驱动系统在响应速度、超调量、转矩波动等性能方面与传统双闭环控制系统相比,都有明显优势。     

低温推进剂重定位推力幅值及时序优化

为了减少重定位时间及推进剂消耗量,提升低温末级的机动性及运载能力,采用流体体积函数(VOF)方法开展重定位推力幅值及时序优化研究,分析重定位过程推进剂质心高度、平均动能、卷气率以及平均气泡直径的变化规律,以获得不同推力幅值及推力时序下的重定位时间和推进剂消耗量。结果表明：小推力重定位时间长,推进剂消耗量少;而大推力重定位时间短,推进剂消耗量多。通过合理优化推力时序可以有效减少重定位时间及推进剂消耗量。     

电阻接地状态下星用电路板深层充电仿真方法

文章基于Monte Carlo方法和有限元方法,对双层和4层电路板覆铜层通过电阻接地时的深层充电进行仿真分析,详细讨论了空间各向同性电子通量模型、电路板背面和中间覆铜层分别通过电阻接地时的计算方法和边界条件,以及不同接地条件下有限元矩阵方程的建立;最终定量计算了电阻阻值对电路板充电结果的影响。仿真结果表明,较之完全接地情况,通过电阻接地会增加充电电场和电势,最大电势深度也相应变化;电阻接地层电势和阻值呈线性关系;当接地电阻为109?量级及以下时,其对深层充电的影响可以忽略,验证了NASA-HDBK-4002A手册中设计指南的正确性。