非接触式静电电压测量仪校准方法研究

根据非接触式静电电压测量仪的工作原理,建立了一套非接触式静电电压测量仪校准系统.重点介绍了校准系统的组成和工作过程,以及决定校准系统测量准确度关键因素的标准平板电极的设计原则,并通过实验数据分析了标准平板电极的直径和边缘效应对测量结果的影响.最后以常用的非接触式静电电压测量仪EST101为例,根据校准装置测量不确定度主...     

低温复杂结构件特种成形工艺

研究了等离子旋转电极制备低温钛合金球形粉末的特性,采用热等静压成形工艺,制备低温钛合金粉末冶金材料,并对比分析了组织与性能.以低碳钢为材质,加工装配专用芯模,开展粉末冶金TA7 ELI钛合金构件净成形技术研究,实现了大尺寸、薄壁、半封闭式火箭发动机低温转子高性能、高可靠性的整体净成形.结果表明:等离子旋转电极制备的低温钛合金球形粉末,具有非常高的球形度和振实密度,粒径分布可依据需求控制在一定范围内,非金属夹杂含量每千克不超过20个;粉末冶金低温钛合金材料性能全面达到同批次锻件性能水平,微观组织呈等轴状;粉末冶金低温钛合金氢泵叶轮已通过了发动机型号低温全程试车考核.     

漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理

针对典型GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）低噪声放大器,利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT低噪声放大器二维电热模型,考虑高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由漏极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬态响应,通过分析器件内部电场强度、电流密度、温度分布随信号作用时间的变化,研究了其损伤效应与机理。研究结果表明,当漏极注入幅值17.5V、频率为14.9GHz的微波信号后,峰值温度随信号作用时间的变化呈现周期性“增加—减小—增加”的规律。在正半周期降温,在负半周期升温,总体呈上升趋势,正半周电场峰值主要出现在漏极,负半周电场峰值主要出现在栅极靠漏侧,端电流在第二周期之后出现明显的双峰现象。由于热积累效应,栅极下方靠漏侧是最先发生熔融烧毁的部位,严重影响了器件的可靠性,而漏极串联电阻可以有效提高器件抗微波损伤能力。最后,对微波信号损伤的HEMT进行表面形貌失效分析,表明仿真与试验结果基本相符。     

电晕耦合无声放电结构电极配置数值模拟

提出了一种电晕耦合无声放电结构,通过对线-板式电晕耦合无声放电结构静电场进行数值模拟,得出了不同线-板电极配置下的电场分布,结合流光形成、发展和传播所需的静电场条件,分析了电极配置。结果表明,对于一定的放电电压和线-板间距,存在一个较优的线电极直径,使之既满足于电晕放电的起晕,又满足于流光放电的发生、发展及稳定传播。对于一定的线-板间距,线-线间距存在一个有效范围。