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61.
采用两种含钨钎料N171,N300和Rene'95高温合金粉末对K403与DZ4高温合金的大间隙钎焊工艺进行了研究。试验结果表明,在钎焊接头间隙中预填合适粒度的Rene'95高温合金粉末,可实现K403+DZ4的大间隙钎焊。焊后在较高温度进行较长时间的扩散处理,可明显改善大间隙钎焊接头组织,并防止其焊后固溶处理时发生严重重熔,但为避免高温合金粉被钎料过分溶解,在高温扩散处理前,应先在较低温度进行一定时间的热处理。采用N300钎料、预填Rene'95粉钎焊的K403+DZ4大间隙接头经焊后扩散处理,具有良好的高温力学性能,接头900℃的拉伸强度达铸态K403母材的92%,980℃/126MPa条件下持久寿命为135h;再经固溶处理后,接头900℃的拉伸强度超过铸态K403母材水平(677MPa),持久寿命也略有提高。 相似文献
62.
用Al—Ti合金加压钎焊Si3N4陶瓷及接头高温性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用Al-3wt%Ti合金真空加压钎焊Si3N4陶瓷,研究了压力对钎缝组织与接头性能的影响。结果表明,如果填充金属钎焊时处于固液双相区,施加压力既能减小钎缝宽度,又能改善钎缝金属组织,使接头强度得到提高;加压可以作为一种改性钎缝金属的方式。含大量Al3Ti的Al-3wt%Ti钎焊接头与用纯Al钎焊的接头相比,其高温性能得到明显改善,前者600℃时的剪切强度为29MPa,而后者只有4.5MPa。 相似文献
63.
康慧 《航空精密制造技术》1993,(6)
主要阐述PT801型微机对真空钎焊炉的控制原理,过程及控制系统的主要性能。采用微机分段控制的方法能使温控精度达±0.6℃,从而提高了钎焊质量。 相似文献
64.
邹贵生%白海林%谢二虎%宁立芹%梁德彬 《宇航材料工艺》2007,37(1):1-5,67
综述了耐高温轻质结构材料Ti3Al基合金及其与异种材料的连接研究现状,阐述了熔焊、钎焊、扩散焊、TLP扩散连接等主要连接方法的优缺点,指出了实用化研究方向。 相似文献
65.
新设计了Ti-Zr-Cu-Ni-Co系钛基钎料,相对于B∏P16钎料,其Zr含量有所提高,而Cu,Ni,Co三种合金元素的总含量低于B∏P16钎料中Cu,Ni的总量.在960℃/10min的真空加热条件下,进行了两种钎料对TC4合金的熔化实验和连接实验.通过SEM和XEDS分析了接头组织和微区成分.钎焊接头力学性能试验结果表明,使用新钎料对应接头冲击韧性值为31.55J/cm3,比B∏P16钎料提高了56%,同时接头的剪切强度提高约20%. 相似文献
66.
用Co45CrNiWBSi,Co45NiCrWB及N300E三种钴基钎料对定向凝固Ni3Al基合金IC6A的真空钎焊进行探索研究,测定钎焊接头在900℃下的持久性能.试验结果表明,三种钴基钎料对IC6A合金钎焊工艺性能良好,均可获得致密完整的钎焊接头.但含元素Si和B的Co45CrNiWBSi钎料钎焊接头的高温持久性能较差,而仅以B作为降熔元素的N300E和Co45NiCrWB钎料钎焊的接头具有较好的持久性能,其中Co45NiCrWB钎料钎焊IC6A合金接头在900℃/160MPa下的持久寿命达100h以上. 相似文献
67.
采用座滴法研究了三种钎料Pd-Ni、PdNi-(5~14)Cr(wt%, 下同)和PdNi-(15~26)Cr在Si3N4陶瓷上的润湿情况.结果表明,在1250℃/30min的真空加热条件下,随着Cr元素的加入钎料润湿性逐渐改善.Pd-Ni钎料中未加入Cr的情况下,反应层中主要是Pd参与反应,生成相应的Pd-Si等相,Ni也参与反应生成Ni-Si等相;当钎料中加入活性元素Cr以后,反应层中主要为Cr参与反应,同时生成相应的Cr-N和Cr-Si等相,另外反应层中也有一部分Ni参与反应.在PdNi-(5~14)Cr/ Si3N4的界面反应层中出现了薄的黑色Cr-N层,对于Cr含量更高的PdNi-(15~26)Cr钎料,在靠近Si3N4的界面即形成Cr-N反应层. 相似文献
68.
阐述了蓝宝石整流罩与金属弹体的连接结构和连接方法,从应力缓解、性能可靠性和工艺可行性等方面对连接方法进行了分析比较,指出了活性钎焊连接将是两者连接的发展趋势. 相似文献
69.
本文利用AgCuTi-W复合钎料作中间层,在适当的工艺参数下真空钎焊Cf/SiC复合材料与Ti合金,利用SEM,EDS,XRD分析接头微观组织结构,利用剪切试验检测接头力学性能。研究结果表明:钎焊时,复合钎料中的Ti借助Cu-Ti液相与Cf/SiC复合材料反应,在Cf/SiC复合材料与连接层界面形成Ti3SiC2,Ti3Si和少量TiC化合物的混合反应层。复合钎料中的Cu与Ti合金中的Ti发生互扩散,在连接层与Ti合金界面形成不同成分的Cu—Ti化合物过渡层。钎焊后,形成W颗粒强化的致密复合连接层,W颗粒主要分布在Cu-Ti相中。W的加入缓解了接头的残余热应力,Cf/SiC/AgCuTi—W/TC4接头剪切强度明显高于CF/SiC/AgCuTi/TC4接头。 相似文献
70.