卫星无线传能系统主动电场屏蔽效能分析

针对无线传能系统宽频段电场辐射屏蔽的需求,建立了采用主动屏蔽方式的无线传能系统屏蔽效能分析电路模型。推导出主动屏蔽激励源可由无线传能系统电压激励源控制。给出了空间点位置和面位置屏蔽效能计算公式,通过对激励电压源进行傅里叶变换后提取关注频段电压分量可实现对宽频段屏蔽效能的分析。通过仿真分析证明了方法的有效性,屏蔽效能与空间位置有关,同时受限于传输效率的约束。通过调节压控电压源的压控系数可以在传输效率损失相对较小的情况下实现关注位置电场辐射的有效屏蔽。最后通过实验验证了无线传能系统主动屏蔽方式屏蔽效能分析方法的正确性和工程可应用性。     

低RCS的双层缝隙阵FSS雷达天线罩的设计与分析

文章采用谱域法并结合互阻抗法,对低RCS双层FSS天线罩进行了仿真设计,并就多层介质衬底影响下的频率特性进行了分析。与其他方法相比,谱域法能仿真更复杂的FSS单元,求解模型简单,计算量小,能得出非常理想的仿真结果。文章采用这种方法得到的分析结果与实测结果相符合。     

不同螺旋体浓度旋波介质吸波性能的研究

利用空间测量方法对不同浓度手性旋波介质的吸波性能进行了测量。实验表明,手性螺旋的浓度可以做为调节旋波介质吸波性能的一个灵敏参量。在非手性基体中加入适当浓度的螺旋体可有效提高手性介质的吸波性能。手性螺旋体的基体中的浓度有一最佳浓度匹配点,该浓度点在３．２％和４．０％之间。在设计高吸收宽频段的手征性吸波材料时,应考虑螺旋体在手性介质中的浓度匹配。     

C-R样条用于低散射目标爬行波求解

C-R(Catmull-Rom)样条具有直观、稳定、灵活、不需反求控制顶点等优点,特别适用于具有复杂外形的飞行器进行几何描述. 利用 (G¹,k=1) Catmull-Rom样条及其张量积曲面对低散射目标进行几何建模,并求解低散射目标爬行波RCS贡献,通过计算结果与实验结果比较,获得令人满意的结果.     

导弹轨姿控舱体的强度分析

借助NASTRAN和PATRAN有限元分析软件,对承受多种加载方式的导弹轨姿控舱体进行了有无补强措施对比的强度分析。计算结果表明,轨姿控舱体设计的安全系数高;采取施加压紧盖的补强措施后,可分别使轨姿控舱体的最大应力值和最大变形量约降低到原值的1/2。试验结果证明,这种计算分析方法有效、可靠。     

频率捷变雷达信号源实时校准技术研究

分析了原有频率捷变雷达信号源中频率校准方法存在的缺陷,在此基础上设计了实时校准的频率校准电路,提高了信号源的频率跟踪精度和稳定工作时间。     

天基低轨空间监视雷达密集短弧观测数据的定轨应用研究

当天基雷达采用多波束扫描时,每次与空间目标交会可获取类似跟踪的观测数据。本文讨论了这些密集短弧观测数据在目标轨道改进中的应用。在没有测量时,采用矩阵Ricatti方程计算状态误差;引入观测数据时,比较了EKF和UKF两种滤波算法的轨道改进效果。仿真表明,UKF的收敛速度优于EKF;天基短弧观测数据可以很好地抑制误差发散,满足监视任务需求。     

几种紧凑回热面传热和流动的实验和数值研究

运用计算流体动力学方法,建立单元控制体模型,对回热器主要型面(不锈钢锯齿型面、CC型一次表面)的传热及流动特性进行了数值模拟,并与实验结果进行对比,结果表明,数值结果与实验结果吻合的较好.在此基础上,研究了CC型面结构参数等对传热流动性能的影响,并且通过j/f的大小比较了不同结构参数下CC型面以及不锈钢锯齿型面的表面性能,为回热器的优化设计提供依据.      

飞机翼类典型结构件库系统设计与实现

分析了飞机翼类典型结构件的特征知识,采用吸纳法实现知识驱动飞机翼类典型结构件几何设计,研发了独立于CAD平台的结构件知识库。实现了翼类典型结构件设计资源的重用,在降低变形设计难度的同时提高了设计效率,并为其他零件和标准件库的建立提供了一个新的方法。     

Phase Equilibria in Nb-Si-Mo Ternary Alloys at 1 273 K and 2 073 K

Phase equilibrium in Nb-Si-Mo ternary alloys （〈37.5 at.% Si） at 1 273 K and 2 073 K is investigated by using X-ray diffraction （XRD） analysis, scanning electron microscopy （SEM） and energy dispersive spectroscopy （EDS）. The partial isothermal section at 1 273 K, which contains four single-phase regions, five two-phase regions and two three-phase regions, is basically the same as that at 1 973 K. However, when the temperature increases to 2 073 K, the three-phase region of Nbss＋ct-（Nb（Mo））sSi3＋13-（Nb,Mo）sSi3 obviously moves towards the Nb-rich comer. This suggests that Nb-Si-Mo ternary alloys remain stable at least up to 1 973 K.