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31.
反压对隔离段激波串结构的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用不同的无黏通量格式与湍流模型组合对轴对称圆截面隔离段进行了数值计算,选取与试验结果最匹配的组合研究隔离段在反压作用下的流场结构及参数特性.对不同反压下的独立隔离段模型和隔离段燃烧室模型进行了三维模拟,分析了隔离段反压比对其流场结构、出口参数及其中激波串形态的影响.针对该轴对称隔离段提出了其可承受的极限反压.比较了冷态均匀反压与燃烧诱导反压下的隔离段流场.结果表明:无黏通量格式与湍流模型的选择影响着激波串的形态和长度,对于隔离段数值模拟十分关键;隔离段出口参数受反压影响,出口处在激波串区域时,附近截面上静压分布的不均匀性较大,出口处在混合区时压力分布则相对更均匀,激波串发展程度影响隔离段出口压力均匀性;对于该圆截面隔离段及燃烧室,直接给定均匀的平面冷态反压所产生的激波串与燃烧反压下的激波串在结构形态和起始位置上未见明显差异. 相似文献
32.
水下固体火箭发动机的推力特性 总被引:2,自引:0,他引:2
在微观层面上对火箭发动机射流结构变化对推力的影响规律进行分析研究.采用轴对称模型对不同工况下的二维发动机模型进行数值模拟,获取推力振荡曲线,并研究不同阶段的推力变化,探究推力峰值与断裂的对应关系及推力振荡幅值与频率随工作环境变化的关系.研究结果表明:推力振荡产生的原因是射流在激波诱导下产生周期性颈缩;由于胀股及回击破碎的作用,水下射流推力存在多阶频率峰值;根据胀股主要处于中频段的重要结论对前4阶频率的研究表明射流回击与胀股具有相关性. 相似文献
33.
34.
为了掌握压气机与爆震室相互作用机理,实现压气机与爆震室稳定匹配工作,针对离心压气机与爆震室共同工作过程建立了数值计算模型,并采用脉冲爆震涡轮发动机原理性试验系统进行验证,在此基础上结合传统航空发动机中压气机特性分析方法,对反传作用下的压气机工作特性进行了计算分析。结果表明:反传压力波使压气机内出现了瞬间的气体倒流现象,并且会在进气转接段内形成压力波动,使压气机出口长时间处于非稳态工况;压气机与爆震室匹配工作时,压气机工作特性线朝喘振边界靠近,效率低于0.39,而同转速下,压气机单独工作时,其效率均在0.81以上。 相似文献
35.
Y型喷嘴反压环境粒径的图像捕捉测量技术 总被引:1,自引:0,他引:1
鉴于Y型喷嘴反压条件下的粒径难以采用传统光学测量手段获得有效数据,提出一种基于图像捕捉的粒径处理程序,通过微距镜头拍摄雾场图像,通过图像识别和数据统计获取有效索太尔平均直径(SMD)。该处理方法在大气下与相位多普勒粒子分析仪(PDPA)测量结果误差不超过12%。实验结果表明:在反压条件下,当气流量为0g/s时,雾化粒径较大,随着环境压力升高和液流量增大,雾化粒径呈减小趋势;当加入气流量为55g/s时,雾化粒径显著降低,并且粒径随着环境压力升高而增大(该结果与不加气时恰恰相反),而在同一反压、不同液流量工况下,雾化粒径基本保持不变。在燃烧室变工况条件下,加入少量的气体即可使雾化粒径显著减小且在变工况条件下基本保持一致。 相似文献
36.
喷流反压模拟技术及在高超声速进气道实验中的应用 总被引:3,自引:2,他引:1
为研究高超声速进气道的反压特性以及不起动/再起动特性,提出了一种凹腔喷流反压模拟技术,在实验过程中通过控制阀门的开度可方便地且迅速地调节进气道的出口反压.利用该技术,还对一种马赫数为7级的轴对称高超声速的反压特性及不起动/再起动特性进行了研究,展示了该技术的实用性.结果表明:(1)所提出的凹腔喷流技术可在进气道下游形成较为均匀的、可控的背压环境,因此可用于进气道的反压特性研究;(2)适当调节凹腔的喷流总压,并在实验中实时控制阀门的开度,凹腔喷流技术能够在较短的风洞实验时间内(约8 s)实现进气道起动、不起动、再起动流态之间的切换,因此可用于进气道的不起动/再起动特性研究. 相似文献
37.
在水槽中利用激光片光源及荧光素纳染色液显示方法,研究了圆柱、机翼与平板交接区及后掠圆柱、后掠机翼变迎角情况下的干扰流场结构、特性及参数影响规律.实验结果表明,除Re数之外,模型迎角、后掠角等参数对干扰区马蹄涡特性有很大影响.研究发现后掠圆柱及后掠机翼在一定条件下存在一类既不同于马蹄涡也不同于卡门涡的空间稳定发展的三维旋涡系即背涡.背涡在一定的迎角及后掠角条件下发生破裂;机翼背涡随迎角变化具有不同于圆柱背涡的特点.讨论了干扰背涡产生的机制及其与马蹄涡的相互关系.此外还给出了对于干扰流场典型截面的PIV测量结果. 相似文献
38.
39.
主要对飞机单纯加油门后的运动规律做了定量的理论计算,对定长周期运动进行了一定物分析,得出了飞机在小速度时加油后有三种可能的状态,即收敛、发散和中立稳定。并指出飞机加油门后的增速状态是暂时的,一般民政部下增速之后,是一个高度与速度相互转化的振荡过程。同时还指出低空小速度时,在加油门后暂时的增速过程中靠拉杆争取高度是不安全的。 相似文献
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4~90.4 μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8~129 μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。 相似文献