全文获取类型
收费全文 | 151篇 |
免费 | 59篇 |
国内免费 | 13篇 |
专业分类
航空 | 175篇 |
航天技术 | 10篇 |
综合类 | 11篇 |
航天 | 27篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 9篇 |
2022年 | 9篇 |
2021年 | 12篇 |
2020年 | 10篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 9篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 2篇 |
排序方式: 共有223条查询结果,搜索用时 64 毫秒
191.
192.
193.
针对DS/FH(Direct Sequence/Frequency Hopping,直扩/跳频)混合扩频测控系统抗干扰问题,提出一种效能评价方法.基于任务需求,构建系统抗干扰效能评估指标体系;将三角模糊数、指数标度和层次分析法相结合,提出一种改进的TFN-AHP(Triangular Fuzzy Number-Analytic Hierarchy Process,三角模糊数-层次分析法),提高了较小指标的区分度,剔除了极端数据,最大限度发挥专家的经验知识,实现了指标赋权的客观程度,最后通过AHP对不同设备系统关于指标体系判断矩阵的确定、一致性检验和层次总排序,实现了系统抗干扰效能的评价和选择.分析结果表明,该评价方法能够实现不同设备的抗干扰效能评估,有助于用户对设备的选择. 相似文献
194.
195.
196.
197.
198.
SiC单晶片表面质量对其后续半导体器件的制造有很大影响,但其材料的高硬度和高脆性,使切片过程变得非常困难。本文在往复式电镀金刚石线切割装置上采用单因素和正交法进行了SiC单晶切割实验,研究了工件转速、线锯速率、工件进给速率、线锯磨损对晶片表面粗糙度的影响规律以及三维形貌特点。结果表明:附加工件旋转运动,晶片表面质量提高,划痕减少、深度变浅;线速增大、工件旋转速率增大或工件进给速率减小,表面粗糙度值减小;线锯磨损晶片表面粗糙度值增大。相对线速和线锯磨损,工件转速和工件进给速率对晶片表面质量及粗糙度的影响更大。应在综合考虑效率和线锯损耗的基础上合理确定切割参数,尤其是工件进给速率。 相似文献
199.
200.
针对重结晶法硼包覆工艺的不足,采用了双溶剂法对硼颗粒进行包覆.应用pH法对包覆效果进行验证.设计正交实验研究了超声波混合时间、蒸发温度和搅拌速度这三种因素对双溶剂法包覆效果的影响.试验结果表明:双溶剂法的包覆效果要优于重结晶法;超声波混合时间的最优水平为10min,使用超声波混合可以有效地提高双溶剂法包覆效果;蒸发温度的最优水平为350℃,提高蒸发温度有利于促进包覆效果,但温度越高时,提高温度对包覆效果的促进作用将减弱;搅拌速度的最优水平为200r/min,一定的搅拌速度可以维持硼在溶液中的均匀分散,有利于硼颗粒的包覆,但搅拌速度过快又会使已经包覆在硼颗粒表面的LiF在剪切力的作用下重新从硼表面脱落,降低了包覆效果. 相似文献