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161.
航天器直流电源系统稳定性分析方法研究   总被引:5,自引:4,他引:1  
航天器直流分布式电源系统由于在母线上使用的直流/直流变换器等部件数量的迅速增加,导致各个部件间相互影响问题较为突出。文章就航天器直流分布式电源系统的稳定性问题进行了研究,对影响系统稳定性的主要因素进行了分析,并对目前在"国际空间站"直流分布式电源系统稳定性研究中所采用的分析方法进行了比较研究。最后针对我国航天器直流分布式电源系统特点,提出了开展系统稳定性研究的建议。  相似文献   
162.
吴乐彬  王宣银 《航空学报》2008,29(1):204-208
 以并联六自由度机构为对象,研究了阻抗控制在广义主动加载中的应用。推导了并联六自由度机构广义力、单缸力和单缸位移之间的阻抗控制数学模型,并分析了稳态误差影响因素;设计了符合现有实验条件的模型参考自适应阻抗控制器(MRAC),该控制器仅通过广义力反馈、单缸力反馈即可实现控制参数的在线修正,并由六自由度机构单缸位移反馈构成闭环控制系统。比较自适应阻抗力控制器和经典力控制器进行了广义主动加载仿真,结果表明所设计的控制器提高了系统动态响应能力,对环境刚度变化鲁棒性强,可以实现实验室条件下广义力的精确稳定跟踪。  相似文献   
163.
航空发动机承力结构隔振设计方法及试验   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于先进航空发动机承力框架的结构与力学特征,通过理论分析与仿真计算验证了高隔振性承力框架结构动力学设计方法。通过对承力结构刚度/质量分布及几何构形突变的优化设计,提高转子支承结构在宽频域内的机械阻抗,实现在转子工作转速范围内的高隔振性。根据承力结构刚度/质量分布对隔振性的影响,采用折返式非连续结构,设计并搭建了转子-承力框架试验系统,通过试验进一步验证了高隔振性承力框架设计方法。试验结果表明:在承力结构中采用非连续性设计可在宽频域内对不同位置支点处激励具有良好的隔振效果。   相似文献   
164.
针对未来微卫星、纳卫星及皮卫星平台的应用需求,介绍了一种基于巨磁阻抗(GMI)效应的微型化三轴磁强计。微型化三轴磁强计采用非线性非对角化巨磁阻抗效应原理制备敏感元件;采用相敏检波方式设计信号处理电路,并对磁强计电路进行了集成化芯片工艺的设计研发。研制的样机在±500mGs磁场下的输出为0~5V。0.1~10 Hz频率范围内的噪声小于RMS 200 pT;频谱密度噪声小于20pT/√("Hz" )@1Hz。  相似文献   
165.
基于碰撞检测的自适应阻抗控制机械臂系统(英文)   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对柔性关节机械臂,本文阐述了机械臂能够像人手一样安全操作的方法。3种方法相结合,以便机械臂能够柔顺的接触操作对象并控制接触力在预设定范围内。首先,提出采用虚拟分解法的笛卡尔阻抗控制用来实现机械臂在笛卡尔空间的柔顺控制。其次,引入自适应关节动态补偿器使得机械臂能够实施更为精确的控制。最后,设计了基于笛卡尔力反馈的实时路径规划,从而使机械臂能够检测碰撞并控制接触力。基于碰撞检测的自适应阻抗控制器能够简化其在机械臂上的实施,保持机械臂对环境的友好操作,并且严格满足系统的全局稳定性。实验在4自由度的卫星在轨自维护机械臂平台得以验证。碰撞检测实验和轨迹跟踪实验结果证明了所提出方法的有效性和可行性。  相似文献   
166.
视频传输中的阻抗匹配研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了视频输入、输出电路的类型和各种阻抗匹配方法的特点,并列举了这些匹配方法在实践中的应用。  相似文献   
167.
In order to address the current aircraft noise problem, the knowledge of impedance of acoustic liners subjected to high-intensity sound and grazing flow is of crucial importance to the design of high-efficiency acoustic nacelles. To this end, the present study is twofold. Firstly, the StraightForward impedance eduction Method (SFM) is evaluated by the strategy that the impedance of a liner specimen is firstly experimentally educed on a flow duct using the SFM, and then its accuracy is checked by comparing the numerical prediction with the measured wall sound pressure of the flow duct. Secondly, the effects of grazing flow and high-intensity sound on the impedance behavior of two single-layer liners are investigated based on comparisons between educed impedance and predictions by three impedance models. The performance of the SFM is validated by showing that the educed impedance leads to excellent agreement between the simulation and the measured wall sound pressure for different grazing flow Mach numbers and Sound Pressure Levels (SPLs) and over a frequency range from 3000?Hz down to 500?Hz. The grazing flow effect generally has the tendency that the acoustic resistance exhibits a slight decrease before it increases linearly with an increase in Mach, predicted successfully by the sound-vortex interaction theoretical model and the Kooi semi-empirical impedance model. However, the Goodrich semi-empirical impedance model gives only a simple linear relation of acoustic resistance starting from Mach zero. Additionally, when the SPL increases from 110 to 140?dB in the present investigation, the acoustic resistance exhibits a significant increase at all frequencies in the absence of flow; however, the resistance decreases slightly under a grazing flow of Mach 0.117. It indicates that the SPL effect can be greatly inhibited when flow is present, and the grazing flow effect can be reduced partly as well at a relatively high SPL.  相似文献   
168.
文章用输入阻抗方法探讨同轴探针中心对称激励矩形波导在多模传输时所能激发的传输模式。说明采取一定的措施,可以避免产生某些高次模式。并应用分式线性变换检测法,以精心设计的实验验证了理论分析的正确性。  相似文献   
169.
多种材料双层 EFP数值仿真对比研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
以双层药型罩形成的串联爆炸成型弹丸(EFP)为研究对象,运用数值仿真软件AUTODYN,对不同材料组成的双层药型罩产生的串联EFP成型与侵彻靶板过程进行数值模拟计算。通过比较双层EFP形状、速度、长径比、动能等参数,得出内外罩材料冲击阻抗之差对于双层EFP侵彻能力的影响,其侵彻能力最强的材料组合为外钽内铝组合。  相似文献   
170.
接口阻抗测试是航天产品中对产品状态是否正常来进行判断的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。本文针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立了对应的电路模型,对芯片静电损伤的现象进行理论分析。分析说明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。  相似文献   
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