结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究

在分析了现行标准中晶体管稳态工作寿命试验方法存在问题的基础上,认为在现行的稳态工作寿命试验中没有对晶体管的结温实施测量和控制,是导致试验结果不准确的重要原因.旨在提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度,提出了一种在试验过程中实时测量并严格控制晶体管结温在最高允许结温附近的稳态工作寿命试验方法.以3DD820,3DD15D (F2金属封装)双极晶体管为实验对象,对结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法进行了验证.模拟试验数据分析结果表明,该试验方法可以有效地提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度.     

砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析

采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式,给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出,烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例;其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁,热斑烧毁,源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。     

采用单电子晶体管实现的积分器及其性能分析

阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I—V 特性的一种分区处理法,在此基础上设计了 SET 积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SETI—V 特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的方法同样适用于 SET 在其它模拟和逻辑电路中的应用。     

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电

对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究.给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析.研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重.     

GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10¹⁴,4×10¹⁴和1×10¹⁵protons/cm²。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气（2DEG）浓度和迁移率在辐照后有所降低。     

WQI型晶体管直流稳压电源的原理与维修

论述ＷＱＩ型晶体管直流稳压电源工作原理，分析了其故障产生的原因，详细说明了稳压电源的维修方法。     

晶体管图示仪的扩展应用

本文就晶体管图示仪的扩展应用提出了新的观点及理论依据。并给出部分新的应用测量结果。     

世纪回眸:纪念晶体管的发明和由此引出的启发

本文是为纪念20世纪在电子技术方面最伟人的发明──晶体管而作。文中回答了晶体管足在什么时候发明的，是由哪些人发明的，它的原始结构是什么样子等问题，描述了那激动人心的时刻，回顾了那漫长而曲折的发明过程，追忆了发明后的形势发展，最后列举了由此引出的几点启发。     

监测功率晶体管的V_(BE)实现过流保护的研究

监测 V_(BE)参数作为功率晶体管过流保护的取样信号是一种新方法。本文用实验验证了 V_(BE)在一定范围内是随 I_C 的增大而线性地增大的,其平均变化率不超过0.038V/A。根据此方法设计的保护电路用于单个晶体管时,也能对过流起到安全保护的作用,并用实验得到证明。     

宽带有源巴伦的仿真设计

文章重点研究基于分立PHEMT器件和HMIC工艺的有源巴伦,该成果可以进一步用于MMIC的设计。在1～2 GHz频率范围内,通过ADS软件对该有源巴伦进行仿真设计,其幅度差在0.17 dB之内,相位差在0.9°之内。利用AutoCAD软件生成PCB版图,采用Rogers4003基片加工。测试结果与仿真比较一致。