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81.
在YA-100型四柱液压拉深机上,进行了用反应烧结氮化硅材料凹模拉深不锈钢(SUS304)的试验研究。结果证明:与水基润滑剂配合,反应烧结氮化硅陶瓷材料模具拉深SUS304不锈钢时,拉深件不产生划痕、划伤等表面缺陷,拉深件废品率低于0.1%,模具表面也不产生拉深棱缺陷,是可以替代金属模具拉深不锈钢的新一代模具材料,应用前景广阔。  相似文献   
82.
采用基于迭代物理光学法与等效边缘电磁流法的雷达散射截面计算程序,分析了水平、垂直两种极化方式下唇口斜切修型对菱形进口S形进气道边缘绕射场及腔体内部散射场的影响。计算结果表明:在水平、垂直两种极化方式下,斜切修型可有效降低边缘绕射场的雷达散射截面,但随斜切角度的增大,其减小幅度降低;正负斜切角度对应的绕射场雷达散射截面分布关于0°探测角对称;斜切修型对腔体内部散射场的影响较小。  相似文献   
83.
A method is proposed for reconstructing the electron density profiles N(h) of the IRI model from ionograms of topside satellite sounding of the ionosphere. An ionograms feature is the presence of traces of signal reflection from the Earth's surface. The profile reconstruction is carried out in two stages. At the first stage, the N(h) –profile is calculated from the lower boundary of the ionosphere to the satellite height (total profile) by the method presented in this paper using the ionogram. In this case, the monotonic profile of the topside ionosphere is calculated by the classical method. The profile of the inner ionosphere is represented by analytical functions, the parameters of which are calculated by optimization methods using traces of signal reflection, both from the topside ionosphere and from the Earth. At the second stage, the profile calculated from the ionogram is used to obtain the key parameters: the height of the maximum hmF2 of the F2 layer, the critical frequency foF2, the values of B0 and B1, which determine the profile shape in the F region in the IRI model. The input of key parameters, time of observation, and coordinates of sounding into the IRI model allows obtaining the IRI-profile corrected to real experimental conditions. The results of using the data of the ISIS-2 satellite show that the profiles calculated from the ionograms and the IRI profiles corrected from them are close to each other in the inner ionosphere and can differ significantly in the topside ionosphere. This indicates the possibility of obtaining a profile in the inner ionosphere close to the real distribution, which can significantly expand the information database useful for the IRTAM (IRI Realmax Assimilative Modeling) model. The calculated profiles can be used independently for local ionospheric research.  相似文献   
84.
爆破切割蒙皮形成应急出口在飞机上的应用国内尚属首次,其最大优点是节省救生准备时间.从爆炸减压、结构变形、结构强度、爆炸反向冲击等方面进行了理论计算,分析了高空爆破切割形成应急出口的可行性.针对切割索弯折过框及长桁降低切割效果问题,进行了摸底试验和余度试验,试验结果表明:只要过框位置切割索弯折后与框距离控制在2~8mm,过长桁位置切割索弯折后与长桁距离不大于2mm,就可以满足切割分离要求,切割索弯折后相互之间不产生影响.通过1∶1地面验证试验,证明了爆破切割蒙皮形成应急出口的可行性,并成功安装于某型飞机上.研究成果可为其他型号采用爆破切割技术提供理论基础和试验数据支持.  相似文献   
85.
环型聚能装药侵彻靶板能力影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用正交设计试验方法优化环型聚能装药结构,利用ANSYS/LS-DYNA软件,对环型聚能装药侵彻靶板过程进行数值模拟,得出了药型罩开口角度、药型罩壁厚、装药高度、炸高4种因素对环形射流穿靶时间及剩余速度的影响规律。仿真结果表明,对射流穿靶时间及剩余速度影响较大的因素为药型罩开口角度,优化后的环型聚能装药结构对靶板侵彻能力显著提高。  相似文献   
86.
俯仰振荡翼型跨音速粘性绕流的数值计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
代捷  刘千刚 《航空学报》1996,17(5):79-82
以LU-TVD混合格式求解二维非定常湍流N-S方程,计算了绕1/4弦点振荡的翼型跨音速粘性绕流解,与实验结果吻合较好。通过取不同CFL数计算表明:在能得到非定常稳态解的情况下,取小CFL数更能真实地反映非定常时间历程,具有更高的可信度  相似文献   
87.
张航  谭慧俊  李湘萍 《航空学报》2009,30(12):2243-2249
对一种背部安装的狭缝式进气道进行了设计和仿真研究,获得了该类进气道的流动特征和工作特性。结果表明,由于存在剧烈的通道弯曲和宽度收缩,进气道的内部流动较为恶劣,边界层气流在通道的上方和下方两侧堆积,并在扩压器后段的上部出现了分离。当自由流马赫数为0.70、迎角为0°时,进气道出口截面的总压恢复系数为0.975,总压畸变指数则达0.484。另外,进气道前方的大鼓包未能起到有效排除前体边界层气流的效果,而正迎角下前体侧棱产生的前缘涡则能将前体边界层扫向机体的两侧,有效减少了进入内通道的低能气流,对出口截面下方两侧的低总压区起着抑制作用。本文的工作还为狭缝式进气道的改进设计提供了依据。  相似文献   
88.
采用原位生成Si2N2O与添加β-Si3N4晶种的方法协同增韧,利用凝胶注模成型、无压烧结制备了Si3N4复相陶瓷材料,研究了协同增韧对材料力学性能和显微结构的影响.结果表明:通过添加5%(质量分数)的SiO2原位生成Si2N2O使材料的弯曲强度和断裂韧度有明显提高,分别达到359.8 MPa和4.67 MPa·m1/2,通过添加5%质量分数的β-Si3N4晶种,得到的Si3N4复相陶瓷材料中柱状β-Si3N4相生长完好、均匀分布,与板状Si2N2O结合良好.综合以上两种增韧机制使材料的力学性能进一步提高,弯曲强度为486.7 MPa,断裂韧度达到6.38 MPa·m1/2.  相似文献   
89.
压气机叶片复合疲劳试验系统的设计及疲劳寿命分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了模拟航空发动机工作典型状况,研究高低周复合疲劳对某型一级压气机叶片疲劳性能的影响,设计了高低周复合疲劳试验系统,进行了复合疲劳试验,振动试验及仿真分析;确定了叶片一阶振动频率为1530Hz,得出复合疲劳试验较纯低周加载缩短叶片寿命的作用高达586%。通过分析中值S N曲线和P S N曲线, S N曲线拟合系数高达099。通过对复合疲劳试验后的叶片断口进行分析,叶片断口的宏观和微观性状均出现了明显的疲劳源、高周扩展区、低周扩展区以及瞬断区,找到了叶片的断裂经历了高低周复合疲劳作用形成的明显特征区,最后说明了复合疲劳试验系统设计的合理性和可行性。   相似文献   
90.
采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si_3N_4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m~(1/2),介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15~18,虚部约为6~8;反射衰减随(SiC)C_f的含量和厚度的增加而向低频移动。  相似文献   
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