民机试飞应急管理体系框架及影响因素分析研究

民机试飞是飞机从设计生产到交付客户的验证环节,是型号研制成功的关键步骤。民机试飞具有以下特点：为了验证飞机性能而进行各类风险科目试飞,除此之外,还需进行日常维修保养工作。这决定了民机试飞中容易产生突发性事件,需要建立有效的民机试飞应急管理体系。从介绍民机试飞基本特征的角度出发,对生产应急管理体系和试飞应急管理体系分别运用层次分析法进行定量分析,从而对整个民机试飞应急管理体系建设的优先级进行评价,为今后的体系建设提供参考。     

喷嘴挡板式电液伺服阀制造技术创新研究

喷嘴挡板式电液伺服阀是液压系统实现控制功能的常用元件,本文通过在某型号伺服阀产品工艺流程、关键零组件/工序工艺方法、工艺文件等方面进行超出传统方式的改进和试验,完成了其制造技术的创新性实践研究,优化了该类电液伺服阀生产模式,提升了生产效率和能力.     

一种基于MBD的部件装配工艺设计辅助系统

介绍了MBD模式下装配信息的表达特点,并针对这些特点,在Visual Studio2005平台下,利用CAA技术对CATIA进行二次开发,开发出部件装配工艺设计辅助系统.该系统方便、实用,为部件装配工艺设计所需信息提供快速、准确、规范的提取手段,提高了装配工艺设计的数字化水平.     

基于装配过程的关键特性识别与控制方法研究

基于关键特性的质量控制技术是一种先进的质量控制方法,该方法通过对下层关键特性进行监控,间接地保证产品的质量.在装配误差积累传递分析的基础上,研究了装配关键特性定性分析和定量识别方法,再结合统计过程控制理论,开发了关键特性识别与控制系统软件.该软件在某型号飞机应急门装配应用中,能够准确快速地识别关键特性,并有效地进行控制分析.     

数值模拟技术在热压罐工艺中的应用

随着复合材料和计算机技术的发展,数值模拟技术在复合材料工艺仿真中的应用也日益明显.总结分析了数值模拟技术在复合材料热压罐工艺中的研究进展,包括热压罐内流场仿真、固化放热控制、固化变形预测,以及热隔膜成型过程仿真的应用前景.随着大数据和复合材料自动化、智能化的发展,发展数值模拟技术是大势所趋.     

不同冶炼工艺对1Cr18Ni10Ti钢夹杂物的影响

通过试验研究了1Cr18Ni10Ti不锈钢的4种冶炼工艺:真空感应+电渣重熔、真空感应(陶瓷过滤器)、真空感应(陶瓷过滤器)+电渣重熔、真空感应+真空自耗,得到钢锭中夹杂物的种类、大小以及数量的变化.对比试验结果可知,采用真空感应(陶瓷过滤器)冶炼工艺与真空感应+真空自耗之后的钢锭的夹杂物水平相当,D类夹杂物数量最少,大颗粒夹杂物占比也最小.     

随机环境应力冲击下基于多参数相关退化的导弹部件寿命预测

为了解决某型导弹部件的贮存寿命预测问题,提出了一种随机环境应力冲击下基于多参数相关退化的寿命预测方法。针对产品存在退化失效与突发失效两种失效模式,利用Wiener、Gamma及Inverse Gaussian等随机过程模型拟合各性能参数的退化数据,并采用Copula函数进行相关性退化失效建模;利用随机环境应力冲击解释突发失效的机理,并采用非均匀泊松过程对突发失效建模;进而建立退化失效与突发失效竞争的贮存寿命预测模型。实例应用说明所提方法能够反映出导弹部件的失效规律,比传统预测方法具有更高的预测准确性,具有较好的工程应用价值。     

基于神经网络的维修保障流程影响度分析方法

针对维修保障能力的主要影响因素分析及其影响度的量化问题,以维修保障业务流程作为分析对象,通过建立业务流程参数与装备使用能力的关系函数,建立影响因素和影响度的分析方法,并给出影响程度、关键要素、关键影响要素以及综合影响度定义.以流程数量、效率和稳定性作为分析指标,利用MATLAB软件基于神经网络实现对关系函数的逼近求解,为装备制造企业提供确定关键流程和主要影响因素的系统实现.以某航空装备制造企业维修保障业务流程为例给出具体应用,与专家评价方法相比该方法可获得更为客观的分析结果.      

改进的风险优先数(RPN)分析方法

针对工艺故障模式影响分析(PFMEA,Process Failure Modes and Effects Analysis)中风险优先数(RPN,Risk Priority Number)分析方法存在的缺陷,在分析导致这些缺陷的原因的基础上,提出了一种基于费用及发生概率的定性与定量相结合的RPN分析方法.该方法中定性分析部分以传统RPN分析方法中的严酷度等级评价为基础,对工艺故障模式的严酷度等级进行评价;定量分析部分以故障模式发生后导致的费用损失的期望值作为RPN值.改进后的RPN分析方法中,定量化的数据使得风险排序更为客观、准确.最后,使用改进后的RPN分析方法对相控阵雷达中某组件的滤波器装配工艺进行了PFMEA分析,取得了良好的效果.      

平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验

在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究. 通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.