基于SOC的ACAS无线电高度信号激励测试的设计

本文介绍了一种以SOC为核心芯片用于机载防撞系统(ACAS)中符合ARINC552A标准无线电高度信号激励测试的软硬件设计方法.采用C8051F020型SOC芯片及OPA552等芯片搭建仿真电路,利用PDIUSBD12接口芯片建立与工控机的通讯,依据ARINC552A标准,用C51编写仿真控制程序,将仿真的ACAS无线...     

三维针刺C/SiC复合材料与30CrSiMoVA对偶的摩擦磨损性能与机理

通过MM-1000Ⅱ摩擦试验机,研究了三维针刺C/SiC复合材料与30CrSiMoVA对偶的摩擦磨损性能,并结合SEM,XRD,EDS、热力学计算以及刹车过程温度场有限元模拟,分析了刹车过程中的摩擦磨损机理和物相转变.结果表明:随着初始刹车速率的增加,三维针刺C/SiC复合材料与30CrSiMoVA对偶刹车的平均摩擦系...     

Ti6Al4V合金冷拔过程变形机制研究

研究了钛合金经冷拉后的变形组织和性能,金相、透镜观察表明,位错滑移是钛合金室温下塑性变形的主导机制.钛合金经过冷拉拔后的组织性能变化可分为3个阶段:第一阶段为快速硬化阶段,以大晶粒的变形为主,位错缠结形成;第二阶段其抗拉强度值增加趋于平缓,近乎于一个平台,部分小晶粒也开始参与变形,位错带形成;第三阶段为应变量大于0.6...     

运输类飞机巡航阻力CFD计算分析

针对运输类飞机设计过程中的巡航阻力准确预测问题,采用基于多块结构网格求解三维雷诺平均Navier-Stokes方程的并行流动求解器“CCFD-MB”,对AIAA阻力预测小组提供的典型运输类飞机DLR—F6翼身构型进行了CFD计算分析,比较了小同规模网格及不同湍流模型对计算结果的影响;并通过与DLR-F4翼身构型计算结果...     

多向编织C/ C 复合材料显微结构的滋-CT 研究

以多向编织C/C复合材料为研究对象,对其内部组织结构进行了CT扫描,通过对投影旋转中心校正、噪声抑制、环状伪影校正等数据进行了处理.结果表明:经过处理数据,图像质量明显改善,提高了材料内部微结构细节的辨识程度,为C/C复合材料内部微结构三维重构提供了良好的基础.     

PIP 工艺对2D C/ SiC-ZrB2 复合材料结构和力学性能的影响

采用CVI结合SI及PIP工艺制备2D C/SiC-ZrB2复合材料.研究了PIP工艺中循环浸渍次数及热处理对复合材料结构和力学性能的影响.比较了多孔C/SiC浸渍浆料后用PIP结合CVI致密化和仅用CVI致密化的效果.结果表明:浸渍裂解后,热处理温度相同,热处理次数对复合材料的开孔率和弯曲强度影响不大.2D C/SiC-ZrB2复合材料的弯曲强度不随PIP次数的增多而增加,PIP处理二次后,复合材料的强度逐渐增加,PIP处理五次,强度达到最大值,制备的复合材料开孔率为8.0%、弯曲强度为423 MPa.SI后用PIP结合CVI致密化比仅用CVI致密化效果好.     

2.5维C/SiC复合材料单胞模型及刚度预测

通过提取2.5维C/SiC复合材料经纱边界曲线,采用鲁棒最小二乘拟合得到了经纱轴向函数表达式,对拟合后的曲线进行合理简化,建立了参数化的2.5维C/SiC复合材料的有限元模型.采用双尺度模型对2.5维C/SiC复合材料进行刚度预测,分别为考虑纤维/基体/孔隙的微观尺度和考虑经纱/纬纱/孔隙的单胞尺度模型,刚度预测的方法采用刚度平均法和能量法.最后讨论了微观尺度的孔隙率对2.5维C/SiC复合材料弹性模量的影响.结果表明,刚度平均法和能量法的计算结果差异较小,考虑微观孔隙率后,计算结果与试验结果吻合得更好.      

NF-6风洞马赫数闭环控制系统设计研究

对NF-6风洞的概况进行了简要介绍,重点阐述了风洞马赫数测量、控制方式及流程,分析了控制系统的结构原理,建立了马赫数闭环控制系统。该系统利用静叶角度机构实现马赫数控制的粗调,通过PI算法控制压缩机转速进行马赫数二次细调。实验结果表明：马赫数控制精度可达0.002以下,实现了实验段流场马赫数的准确控制,控制策略是正确可行的,控制系统是可靠的。     

会议筹备的多目标规划

针对会议筹备的三个问题即预订宾馆、会议室安排、租车问题建立优化模型。对于预订宾馆问题、建立目标函数和约束条件、利用Lingo求解,将会议室安排和租车问题的各方面因素综合考虑建立模型并求解。     

C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究

基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱。