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32.
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本文介绍了一种以SOC为核心芯片用于机载防撞系统(ACAS)中符合ARINC552A标准无线电高度信号激励测试的软硬件设计方法.采用C8051F020型SOC芯片及OPA552等芯片搭建仿真电路,利用PDIUSBD12接口芯片建立与工控机的通讯,依据ARINC552A标准,用C51编写仿真控制程序,将仿真的ACAS无线... 相似文献
34.
根据鸡传染性支气管炎病毒M41株的基因序列(GenBank:AY851295.1),设计特异性引物,利用 RT-PCR方法扩增其 S1基因,并将扩增产物克隆到杆状病毒转移质粒pFast-VSV-G-CMV中,获得重组质粒pFast-VSV-G-CMV-S1,进一步将该重组质粒转化到DH10Bac感受态细胞中,得到重组穿梭载体Bacmid-CMV-S1,再利用脂质体转染sf9昆虫细胞,获得重组杆状病毒Ac-V-S1.间接免疫荧光试验表明,该重组杆状病毒可以转导哺乳动物细胞并表达S1蛋白. 相似文献
35.
采用AgCuTi活性钎料,在880℃/10min规范下成功实现了SiO2f/SiO2自身、SiO2f/SiO2与Cu和SiO2f/SiO2与1Cr18Ni9Ti三种接头的连接。实验结果表明,三种接头中靠近SiO2f/SiO2母材的界面处均形成了一层薄薄的扩散反应层组织,反应层中出现了Ti和O的富集,根据两者的原子比例推断生成了TiO2相;另外,三种接头中心区都形成了由灰色相和白色相共同组成的Ag-Cu共晶组织,其中灰色相为Cu基固溶体,白色相为Ag基固溶体。接头剪切强度结果显示,SiO2f/SiO2/Cu接头剪切强度为12.4MPa,SiO2f/SiO2/1Cr18Ni9Ti接头剪切强度为18.4MPa,接头中的残余应力是决定接头强度大小的重要因素之一。 相似文献
36.
以二维编织碳纤维碳布为预制体,采用聚铝碳硅烷(PACS)为聚合物前驱体,应用化学气相渗透(CVI)结合聚合物浸渗-裂解(PIP)工艺制备微量Al掺杂2D C/SiC复合材料。研究微量Al掺杂对C/SiC微观结构、力学、热膨胀和氧-乙炔焰烧蚀性能的影响。结果表明:掺杂微量Al未改变C/SiC的微观结构和热膨胀性能,也未降低其韧性和强度;但微量Al掺杂提高了C/SiC的抗烧蚀性能,含微量Al的SiC氧化形成微量Al熔于SiO2的固熔体,微量Al提高了SiO2的黏度和致密度,减小SiO2挥发,较未掺杂Al的C/SiC相比,线烧蚀率降低了26%。 相似文献
37.
孙启政 《航空精密制造技术》1998,(5)
研究了铜与铜镶嵌非晶体焊料QJY-5A、QJY-5B点焊,以及调整点焊温度场来降低焊接区铜的熔点,提高焊接区电能利用率的措施;叙述了铜与铜镶嵌QJY-5A、QJY-5B焊料点焊焊核形成过程及特点。 相似文献
38.
刘颖 《西安航空技术高等专科学校学报》2007,25(2):60-63
重点调查及研究高职一年级学生的英语学习策略,并将其记入量表。调查被试者的全国实用英语A级考试成绩,通过SPSS统计分析软件处理,进行学习策略与成绩之间的相关分析。结果显示,学生普遍运用补偿学习策略,记忆学习策略运用得最差。迁移的作用、良好的意义识记能力、悟性及敏感性的提高及言语的感知能力、言语的理解能力可以提高考试成绩,卡片式记忆反而会降低考试成绩。 相似文献
39.
高强Al-Cu-Li-X铝锂合金2A97三级时效工艺及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以新型高强Al-Gu-Li-X铝锂合金2A97为研究对象,通过拉伸试验研究两种三级时效工艺及其改型工艺对合金性能的影响.结果表明,含有δ′相二次析出过程的三级时效和含有δ′相回溶过程的三级时效处理合金的强度和塑性达到T6峰值时效水平,三级时效改型工艺由于增加变形使前者合金的强度升高,塑性降低,使后者的强度显著提高.三级时效和单级时效合金的主要显微组织有δ′相、θ″/θ′相和T1相.三级时效改型工艺由于增加变形促进δ′相析出和δ′相回溶,同时变形促进T1相析出,从而改变了主要强化相δ′相和T1相的数量. 相似文献
40.
无轴承开关磁阻电机控制系统的设计与实现 总被引:11,自引:6,他引:11
介绍了无轴承开关磁阻电机的绕组结构和悬浮力原理,简要推导了数学模型。结合数学模型的复杂性详细分析了控制策略,根据控制策略设计了基于TMS320LF2407A的高速DSP芯片为核心控制器件的数模混合控制电路。样机实验结果不仅验证了理论分析的正确性,也表明了所设计控制电路的有效性和可靠性。 相似文献