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文章讨论了两种应用GaAs肖特基二极管实现的线性化器。首先进行了原理分析,之后给出了具体的电路形式和仿真结果,最后得出这两种结构线性化器是否适合星载微波功放的结论。 相似文献
42.
利用原子力显微镜研究了镀Pt探针与生长在银基底上的单根ZnO纳米棒接触的电学特性.实验测得的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈基本对称的非线性形状,表明镀Pt针尖与ZnO纳米棒顶端形成了良好的肖特基接触.同时,研究发现随着外加载荷的增加,针尖与样品间接触面积增大,使得反向截止电压和正向导通电压均有所升高,而理想因子降低. 相似文献
43.
44.
45.
通过对有源低通滤波器,频率/电压转换器AD650及其变容二极管的特性分析,提出由信号频率来自调节有源低通滤波器截止频率的新设计方案,并对其可行性进行了分析和研究。 相似文献
46.
在美国海军研究生院及斯坦福大学的脉冲爆震发动机(PDE)模型上,应用两种新发展的二极管激光诊断技术-光吸收/高温辐射组合测定法和多路复合可调二极管激光(TDL)技术,测量了其中的温度、各燃烧产物组分等重要参数,并与传统方法所得结果进行对比,说明新方法可靠、准确,适合爆震燃烧流场这种特殊环境,测量精度更高,而且更加简便、快捷。 相似文献
47.
半导体激光器常用于抽运与检测激光光源用于原子物理实验与量子科学仪器的研究,而半导体激光器的各特性参数,如阈值电流、峰值波长、输出功率、使用寿命等,均与温度相关,因此对其进行温度控制很重要.根据激光器输出功率与温度之间的关系,提出一种基于光电二极管(PD)的激光器温度控制系统,通过激光管内部集成的PD所获得的激光器光功率,进而得出激光器发光芯片温度,与热敏电阻相结合,以半导体制冷芯片为执行器,构成双闭环控制系统,可实现高精度长期稳定激光器温度控制,稳定度优于±5 m K,能够满足原子物理实验与研究对半导体激光器的要求. 相似文献
49.
GaAs太阳电池在空间辐射条件下的性能衰减与电池内部微观结构紧密相关。文章针对空间辐射带质子辐照GaAs材料,利用分子动力学方法研究由被辐射材料中产生的不同能量(0.1~10 ke V)初级离位原子(PKA)引起的级联碰撞过程,分析缺陷随辐照时间、入射PKA能量的演化规律,探讨点缺陷和缺陷簇的形成特征。研究发现,在GaAs材料的缺陷对数目随时间的演化曲线中,在"离位峰"和稳定状态时,缺陷对数目与PKA能量呈一定的线性关系;PKA能量越高,辐射损伤越严重、越不易恢复,但缺陷复合率随能量升高趋于饱和;点缺陷在GaAs中主要以缺陷簇的方式存在,且随着能量的升高,孤立缺陷倾向于缔合成缺陷簇。 相似文献
50.