共沉淀法制备花状NiCo2O4及其吸波性能的研究

通过共沉淀法制备花状NiCo₂O₄吸波材料，利用XRD、FTIR、BET、XPS和SEM等方式表征了样品成分及形貌特征，将不同煅烧温度（300、400、500、600、700 ℃）的产物利用矢量网络分析仪通过同轴测试法模拟了不同厚度下的吸波性能。结果表明：400 ℃煅烧样品在反射损耗值、吸收带宽以及样品厚度都表现出较好的性能，当厚度为1.5 mm时，在14.32 GHz处吸波材料达到最大的吸收损耗值为-43.71 dB，有效吸收带宽为4.48 GHz （12.08~16.56 GHz），可以预见镍钴基吸波材料具有很大的潜力。     

通信系统无源互调抑制技术研究进展

介绍了无源互调的概念及其对通信系统的危害，梳理了无源互调的产生原因及影响因素，重点总结了近几年无源互调抑制技术的研究进展。从无源互调的抑制优化逻辑中的工艺新方法方面总结了一般的优化抑制方法，进一步还针对新兴的无源互调抑制优化中的数字域以及模拟域对消问题进行了回顾和对比。从互调生成建模、无源器件的低互调设计、互调信号数字域优化、互调信号模拟对消等方面全面综述了无源互调失真抑制和优化的方法，并展望了无源互调抑制技术的研究趋势。