壁温对氢燃料超燃燃烧室流动特性的影响研究

为了研究超燃燃烧室壁面换热与超声速燃烧之间的关系,运用FLUENT软件,采用RNG k-ε湍流模型、有限速率/涡耗散燃烧模型、密度基AUSM+隐式算法对中国空气动力研究与发展中心的双模态燃烧室模型开展三维冷态和热态流场计算,模拟条件来流马赫数为2.05,总温T_t为1870.9K,分别模拟了壁面温度为500K,700K,900K,1300K以及绝热条件下的超燃燃烧室的燃烧场。燃烧室壁面压力数值模拟结果与实验结果吻合较好,壁面温度为500K,700K,900K,1300K和绝热时,平均误差分别为8.89%,5.78%,14.41%,13.97%,16.53%。通过对比分析发现:随着壁面温度的降低,壁面压力趋势大致不变,但壁面压力值降低,同时壁面压力的压升起始点大幅后移;燃烧所产生的激波串逐渐向燃烧室下游移动,激波串结构发生改变,但激波串前端均为X形激波;燃烧室内马赫数有所升高;燃烧场高温区域面积减小;燃烧室燃烧模态由亚燃模态逐渐向超燃模态转换。     

舰船燃气轮机技术及发展

介绍了国内外舰船燃气轮机的发展状况,分析了典型舰船燃气轮机LM2500系列、MT30和UGT25000的技术特点和性能,展望了舰船燃气轮机的发展方向,并提出了需要发展的关键技术。     

2219铝合金静止轴肩搅拌摩擦焊接头组织及性能

文摘采用静止轴肩搅拌摩擦焊的方法获得了2219C10S铝合金焊接接头,研究了焊接接头典型的宏观、微观组织特征、焊接工艺参数对焊缝成形特征及焊接接头力学性能的影响规律。结果表明:相对常规搅拌摩擦焊,由于静止轴肩式搅拌头的结构特点,焊接过程中可有效避免飞边和焊缝内部缺陷;随着焊速的增加,接头焊核由"碗状"变为"腰鼓"状,体积也逐渐减小,还出现了轴肩影响区这一特殊组织特征;焊接接头的显微硬度分布呈现出独特的"∪"形,焊核区的显微硬度最低;当焊接速度≤250 mm/min,随着焊接速度的增加,接头的拉伸性能逐渐增加;当焊接速度增加至300 mm/min时,由于在焊接接头中出现了沟槽缺陷,拉伸性能急剧下降。     

压电框架单元及其在结构振动控制中的应用

重点阐述了含坟电传感器和执行器的复合结构框架有限元模型的建立过程，导出了压电框架单元的压电刚度矩阵和介电刚度矩阵，进而引入基本控制规律用数值例子说明了压电传感器与执行器在结构的振动控制中的具体应用。     

零二次流引射器启动性能数值研究

为研究零二次流引射器结构参数如何影响其启动性能,采用数值方法模拟求解了引射器流场,并分析了引射器从启动到不启动的典型工作状态。结果表明:扩压器入口面积与引射喷管喉部面积之比Ad/At和第二喉道收缩比Ast/Ad是影响引射器性能的首要因素,其次是第二喉道长径比Lst/Dst和第二喉道入口的位置Ld/Dd。Ad/At越大,扩压器入口斜激波越强,总压损失越大,临界启动压比越大,越难以启动;Ast/Ad越小(大于其临界收缩比)则临界启动压比越小,越易于启动。     

航天器结构动态优化设计仿真技术

本文简要回顾了航天器结构设计技术的发展情况，说明结构动态实验仿真技术是结构动态优化设计仿真技术的基础，介绍了两种模态试验仿真技术与试验建模技术，给出捆绑式运载火箭试验仿真技术实例，指出振动试验仿真技术研究与应用已成为当前重要前沿课题。     

拓扑优化在框架式模具结构选形中的应用

对航空复合材料构件制造用框架式模具进行了底部支撑框格的结构拓扑优化;根据对优化结果的分析以及2种底部支撑框格的有限元模拟结果对比,证明了框架式模具底部支撑框格采用桁架式开口具有较高的结构效率。     

碳基及陶瓷基复合材料CVI工艺数值模拟的相关数学模型

概述阐述了ＣＶＩ数值模拟的基本原理及几种相关的数学模型,提出了２Ｄ碳／碳复合材料的几隙结构模型,并验证了该模型的可行性。     

GEM-TEPC调研分析及原理研究

为对现有组织等效正比计数器进行改进,使其满足高注量率辐射场测量要求,本实验室拟研制一套基于气体电子倍增技术的宽量程TEPC。对GEM-TEPC工作原理进行研究,并对其国际发展现状进行调研,在传统的TEPC灵敏体积内引入GEM膜取代阳极丝是切实可行的,可降低微型TEPC探测器的加工难度,提高其性能。通过调研总结GEM-TEPC设计关键技术,为本实验室GEM-TEPC的研制奠定了一定基础。     

钠盐对铝硅合金的变质

采用高纯铝和硅（＞ ９９．９９％ ｗ ｔ）配制Ａｌ－１０％ Ｓｉ二元合金,经三元钠盐变质,研究合金中共晶硅相。结果表明：铝硅合金共晶凝固时,硅相滞后于铝相结晶。进行钠盐变质处理后,共晶凝固时硅相滞后更加明显,并使之由片状转变为纤维状。钠盐变质后的共晶硅中有较多的孪晶,孪晶轴为（１１１）Ｓｉ;孪晶方向为（２１１）Ｓｉ,共晶两相的位向关系符合〔１００〕Ａｌ∥〔１１０〕Ｓｉ。钠盐变质后的共晶硅以孪晶沟槽（ＴＰＲＥ）长大机制进行分枝、细化和弯曲,从而证明孪晶沟槽长大机制是产生变质结构的重要途径。