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101.
102.
通过试验研究了不同热处理制度对1Cr16CO5Ni2Mo1WVNbN钢的金相组织、室温拉伸、冲击性能的影响。得出结论:随淬火温度升高,回火温度降低,合金的室温冲击韧性降低,而室温拉伸强度略有升高;淬火介质对室温力学性能以及金相显微组织的影响不明显;淬火保温时间和回火保温时间对合金的室温冲击韧性和室温拉伸性能影响不大。因此合金的最佳热处理工艺参数为:1100oC×90min,油冷+680℃×3h,空冷。 相似文献
103.
5DOF运动仿真试验器的姿态指向对准和误差分析 总被引:1,自引:0,他引:1
刘樾 《航空精密制造技术》2012,(1):17-22
为了提高5DOF运动仿真试验器的综合精度和运行能力,分析了其结构和控制分项误差对姿态定向精度的综合影响,建立了误差数学模型并给出指向对准精度的设计计算方法及误差影响程度的计算结果;在指向对准关系分析的基础上,利用对准角计算给出了一种可实时判别和防护5DOF运动仿真试验器运动干涉的设计约束条件。 相似文献
104.
第 5代移动通信技术(5G)与移动边缘计算(Mobile Edge Computing,MEC)的深度融合,实现了省带宽、降时延、均负载和高隔离的目标。为进一步增强军事场景中信息安全保障能力,首先,开展了基础理论研究,梳理了技术发展现状、能力指标和网络架构,为设计区块链与 5G MEC融合架构提供了理论支撑;其次,采用映射方法对民用技术的军事转化与融合改进开展了可行性分析,指出了技术融合的涌现性;此外,基于多视图方法论开展了需求分析,提出了 1种 5G网络架构下 MEC与区块链的融合架构;最后,基于所提系统设计了 3种军事应用场景,并给出了系统参考架构和优化方法。通过分析,3项技术在军事领域的融合应用具有一定的可行性,在综合保障、演训行动和卫勤医疗场景中能够提供安全可信条件下数据的高效处理和灵活流转。 相似文献
105.
基于几何不变性和BP网络的二维目标识别算法 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种基于几何不变性和BP网络的二维目标识别算法.该算法不仅能适应目标物体在旋转、缩放和平移变换(RST变换)下的不变性识别,而且能适应仿射及射影变换下的不变性识别.算法通过对目标物体边缘点进行规格化和对规格化后的边缘点进行5点不变量穷举计算解决了模型图像与目标图像的对应点选取问题;通过将不同观测方位和不同旋转角度的样本图像边缘点的5点不变量集合作为输入向量对BP网络进行训练解决了由于仿射和射影变换造成规格化边缘点间距变化对正确分类的影响.算法不仅能识别多边形而且能识别曲线轮廓的目标物体. 相似文献
106.
107.
采用自制2,2′-(1,3-苯)双(4,5-二氢)(口恶)唑分别与热塑性酚醛树脂或二氨基二苯甲烷(DADPM)进行聚合反应制得了聚醚酰胺树脂(PEAR)和聚氨基酰胺树脂(PAAR).实验表明PEAR的冲击强度达到6
kJ/m2以上,弯曲强度达到100MPa以上,且电绝缘性能优良,可作为H级绝缘材料使用;PAAR的冲击强度最高达到22kJ/m2,弯曲强度达到202
MPa,电绝缘性能较PEAR稍差,但仍然可作为H级绝缘材料使用,另外还可望作为无卤阻燃材料使用.以这两种高性能热固性树脂为基体可制备出性能优良的玻璃布复合材料. 相似文献
108.
在恒幅和变幅两种加载条件下,对16Mn 钢原始焊态和经过超声冲击及TIG熔修处理的焊接接头进行了对比疲劳试验。结果表明: (1) 在恒幅载荷作用下,TIG熔修试件与焊态试件相比,疲劳强度提高37 %左右,疲劳寿命延长2.5 倍;而在变幅载荷作用下, TIG熔修试件与焊态试件相比,疲劳强度提高34 %左右,疲劳寿命延长1.7~1.9 倍。(2) 在恒幅载荷作用下,超声冲击处理试件与焊态试件相比,疲劳强度提高84 %左右,疲劳寿命延长3.5~27 倍;而在变幅载荷作用下,超声冲击处理试件与焊态试件相比,疲劳强度提高80 %左右,疲劳寿命延长2.5~17 倍。(3) 在低中应力水平、中长寿命区域内,无论是在恒幅载荷作用下还是在变幅载荷作用下,使用超声冲击法提高焊接接头疲劳强度较TIG熔修法的效果更好。 相似文献
109.
王建强%赵田臣%王迎新 《宇航材料工艺》2006,36(4):42-45
研究了变质剂RE及Al5TiB对Mg-8Zn-4Al-0.3Mn(ZA84)镁合金阻尼性能的影响。研究表明,RE的加入降低了合金在低温(〈80℃)时的阻尼性能,但明显提高了合金在高温(≥80℃)时的阻尼性能;而Al5TiB的加入则同时提高了合金室温及高温阻尼性能。经Al5TiB变质的合金在室温时即表现出了Q^-1=0.01的高阻尼。由于高温下合金中相的软化及界面的粘性滑动,ZA84镁合金在高温时存在一个温度内耗峰,加入RE后推迟了合金中温度内耗峰的出现温度。分析认为,加入RE及Al5TiB后合金的阻尼机制主要是位错机制和界面机制。可动位错密度越高,晶粒越细,晶界和相界面越多,阻尼性能越好。 相似文献
110.