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281.
282.
封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一,封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外,还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值,还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响,首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响,并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明,不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。 相似文献
283.
二维平行剪切层声波产生和辐射的数值模拟 总被引:5,自引:0,他引:5
在二维线化Euler 方程的基础上解决了第3 届计算气动声学专题讨论会的第5 类标准问题: 二维平行剪切层声波的产生和辐射。频散相关保持有限差分格式用于空间离散, 低频散低耗散的龙格库塔法用于时间积分。重点使用了远场无反射边界条件。计算结果与NASA GLENN 研究中心的解析解符合得很好。 相似文献
284.
马赫数对后掠激波和湍流边界层干扰特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
本文介绍了尖前缘翼诱导激波和湍流边界层干扰流场壁面特性,着重强调马赫数影响。给出2.0≤M≤8.2、a≤35°分离流场中,锥型干扰区内主分离线和再附线位置与无粘激波角β0和迎角a的相关式,证实无粘条件是控制锥型区尺度的主要因素,面高超声速与超声速干扰流中二次分离随激波强度的不同发展,表明干扰流场的细致结构与可压缩性有关。 相似文献
285.
本文研究高超声速流动绕三维低凸台的流动特性。凸台高度与边界层厚度之比介于0.5~0.8,凸台周边倾角介于14°~45°。在高超声速风洞中,来流马赫数为5,单位雷诺数为2.6~6.0×10~7/米。实验过程中测量了模型中心线及特殊部位之表面压强分布,根据纹影记录及表面流动显示确定激波与边界层干扰流场特性及分离区的变化。发现分离区在中心线上距凸台最远,而在凸台肩部距周边沿法线方向最近,确定了中心线上最大压强比的位置。 相似文献
286.
为了研究高超声速进气道内激波干扰和流场结构,对一个二维进气道模型在中国空气动力研究与发展中心超高速所风洞流场中进行了实验(M_∞=5.0,Re_∞=7.5×10 ̄6m ̄(-1))。采用纹影方法,结合压力测量对进气道内流结构进行诊断,同时用Yee的TVD有限差分格式通过求解二维N─S方程对相应实验状态下的进气道内流场进行了数值模拟。风洞实验与数值模拟取得了较好的一致。进一步的分析还表明高超声速进气道内的激波─边界层干扰对进气道性能有很大的影响。 相似文献
287.
通过实验研究得出在小型低速风洞中模拟大气边界层的实验数据 ,为相关实验研究提供方便 相似文献
288.
后掠压缩角激波边界层柱形干扰研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文给出了由后掠压缩角模型引起的激波和湍流边界层干扰的实验研究结果,着重提出了柱形干扰中的尺度特性。本实验中的马赫数为1.79,2.04和2.50,相应的雷诺数为2.42~2.47×10~7/米。模型后掠角的变化范围是0°到60°,流向压缩角的变化范围为0°到30°。实验结果表明,在本实验的马赫数范围内,干扰流动的上游影响区呈现柱形或锥形,如果考虑横流效应,柱形干扰区的上游影响尺度能和二维压缩角的上游影响尺度相关联。其相关关系仅受后掠角和来流马赫数的影响,而与压缩角大小无关。 相似文献
289.
在激波边界层干扰中后掠柱形区的独立性原理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在后掠压缩角引起的三维激波边界层干扰中,柱形的上游影响区表现出准二维的流动特性。实验结果表明,在柱形区中通常的边界层独立性原理不再适用。但是,如果考虑由后掠引起的横流效应修正,柱形区中的上游影响距离的尺度和相应的二维干扰上游影响区尺度之间可以得到很好的相关关系。 相似文献
290.