瓷介电容器老化对检测的影响

论述了瓷介电容器老化对检测的影响。对典型的X7R型瓷介电容器老化的分析,选择去老化的方法可以减少其对检测结果的影响。     

准静态加载下陶瓷基复合材料层合板应力-应变曲线的模拟

采用细观力学方法来模拟纤维增强陶瓷基复合材料层合板在准静态加载下应力-应变行为.采用层合板修正剪滞模型分析复合材料出现损伤时的细观应力场,通过临界基体应变能准则、Nair脱粘准则确定基体裂纹间隔和界面脱粘长度.最后结合剪滞模型和损伤机制模拟陶瓷基复合材料层合板应力-应变曲线,并与试验数据进行比较,结果吻合较好.      

烧结温度对SiO2-ZrO2体系陶瓷型芯材料性能影响研究

采用传统的热压铸工艺制备可快速脱芯的定向、单晶空心涡轮叶片用SiO2 -ZrO2体系陶瓷型芯材料,研究结果表明,该材料随烧结温度从1150℃增加到1200℃,收缩率变大,当烧结温度超过1200℃时,烧结收缩增加显著,1200℃烧结的陶瓷型芯晶粒发育比较完善,主要相组成为非晶SiO2、方石英、ZrO2,其综合性能最佳,室...     

平纹编织C/SiC复合材料在室温和高温环境下的拉伸行为

通过单向拉伸试验,对比研究平纹编织C/SiC陶瓷基复合材料在室温和高温(1300℃,包括惰性气氛和湿氧气氛)环境下的宏观力学特性,并采用光学显微镜和扫描电镜对试件断口进行显微观察,分析其损伤模式和破坏机理。结果表明:C/SiC复合材料的室温和高温拉伸行为通常表现为非线性特征,在低应力时就开始出现损伤;纤维与基体之间界面滑行阻力的降低使C/SiC复合材料在高温惰性气氛环境下的拉伸强度和破坏应变均比室温下的高;碳纤维的氧化严重影响材料的承载能力导致高温湿氧环境下的拉伸强度和破坏应变均比室温下的低;C/SiC复合材料室温和高温下的拉伸均呈现韧性断裂,断口较为相似,只是纤维拔出长度和断口的平齐程度有所不同,其中高温惰性气氛环境下纤维拔出最长,高温湿氧环境下试件断口有明显的被氧化痕迹;0°纤维束表面基体开裂、明显的层间分层以及0°纤维和纤维束的拔出和断裂同时携带90°纤维束拔出是C/SiC复合材料在室温和高温下的拉伸破坏机理。     

压电陶瓷在发动机推力测量中的应用研究

在发动机推力测量系统的原位校准中,运用了压电陶瓷驱动装置准确快速控制力值的方法,研制了原位校准自动化装置。该装置借助微机和自动控制技术,通过控制作用于压电陶瓷驱动装置上的电场强度改变其输出位移,达到精确控制力值的目的,实现原位校准自动化。试验结果表明,该装置可实现手动、半自动和全自动三种控制方式进行原位校准,加值准确度高,适用于所有喷气动力发动机的推力测量。     

基于PSZT的RAINBOW型驱动器研究

基于反铁电陶瓷 (PSZT)化学还原制备的 RAINBOW驱动器是一种具有内部应力偏移 ,兼有还原层和氧化层 ,驱动位移较大的新型驱动器。实验发现 :反铁电陶瓷较易还原 ,理想还原条件为 :870℃保温 2～ 3h;与普通反铁电驱动器相比 ,RAINBOW驱动器能在强度较低的电场作用下发生铁电相变 ,并得到很大的轴向位移 (约 190μm) ;加载方式对 RAINBOW的驱动性能具有决定性的影响     

工艺条件对爆炸喷涂Al2O3陶瓷涂层组织与性能的影响

研究了工艺条件对爆炸喷涂Al2O3陶瓷涂层的组成与性能的影响。结果表明大热焓制度下制备的涂层组织致密均匀，具有较好的结合力、高的显微硬度及低的残余应力，是良好的耐磨耐热陶瓷涂层。经工艺优化选择出爆炸喷涂工艺的最佳气体流量参数。     

微细电火花加工微驱动机构设计

分析了柔性铰链及压电陶瓷的原理和特点,指出了压电陶瓷-柔性铰链机构在微进给中具有高响应频率、高精度和无间隙等优点,满足微细电火花加工的要求。并将压电陶瓷与整体式柔性铰链相结合,设计出一种压电驱动蠕动式微进给机构。     

用有机硅树脂YR3370连接RBSiC陶瓷

 以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370(GE Toshiba Silicones)为连接剂,连接了反应烧结SiC(RBSiC)陶瓷。连接件在1 100~1 300℃的99.99%N₂气流中进行热处理。用三点弯曲强度实验测定连接件的强度,用场发射扫描电镜、X射线衍射和热重测试分析显微结构和化学反应。在连接温度为1 200 ℃时,连接件的三点弯曲强度达到最大值197 MPa。连接层是由有机硅树脂YR3370裂解生成的无定形Si_xO_yC_z陶瓷,其结构连续均匀致密,厚度在2~5 μm之间。连接机理是通过无定形Si_xO_yC_z陶瓷的无机粘接作用在RBSiC陶瓷基体和连接层之间形成连续的化学键。     

Pd-Co-Ni-V钎料钎焊SiC陶瓷的接头组织及性能

采用座滴法研究了PdCo合金及PdCo-V合金对SiC陶瓷的润湿性.设计的PdCo-(4～20)V-(2～4)Ni-Si-B钎料可用于SiC的连接,在1463 K,1493 K两个温度,保温时间均为10 min的连接条件下得到的接头室温三点弯曲强度分别为52.0 MPa和56.8 MPa.微观分析表明,接头中在紧靠SiC的界面交叉分布着Pd2Si相与CoSi (或Co2Si) 石墨的混合相,而元素V只在接头的中央富集,形成了弥散分布的V2C相.