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181.
钛合金/不锈钢网的扩散连接   总被引:8,自引:0,他引:8  
探讨了钛合金/不钢网扩散连接的可行性,确定了直接扩散连接条件下的最佳工艺参数,分析了影响扩散连接的主要因素及接头微观形态。针对实际构件,深入分析了加压方式和变形率的关系,并提出了控制变形量得到无变形接头的方法。  相似文献   
182.
管状三维四向织物编织密度均匀性分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
管状三维四向织物因形状的变化和不同截面编织时增减编织纱的不连续织物编织密度存在不均。本文分析了常用管状产品编织密度的主烨形和最大,最小密度位置,可为管状三上向织物的质量控制提供依据。  相似文献   
183.
RESIDUAL STRENGTH AND FATIGUE LIFE OF 2 D AND 3 D CARBON FABRIC COMPOSITES   总被引:1,自引:0,他引:1  
Theapplicationofcarbonfibercomposites(CFRP)foraircraftstructuresisveryactivelybeingdevelopedtomeettherequirements:achievinghi...  相似文献   
184.
GAP/AN推进剂燃烧波温度分布研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用先进的双钨铼微热电偶技术, 研究了GAP/AN 推进剂的燃烧波温度分布。GAP/AN推进剂的燃烧波可以分为凝聚相反应区、暗区、气相反应区。硝酸酯BG及高氯酸铵对GAP/AN 推进剂的燃烧波结构有显著的影响,硝酸酯BG导致推进剂的燃速降低,压强指数升高;高氯酸铵的影响恰好相反。凝聚相反应的温度梯度及暗区厚度是影响推进剂燃速及压强指数的主要因素。  相似文献   
185.
基于两相法的机翼结构几何优化设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
王伟  赵美英  常楠 《飞机设计》2007,27(1):22-26
针对机翼结构的几何优化问题,提出了一种基于两相法的几何优化设计新方法。采用参数化命令流文件进行有限元建模,利用复合形法进行位置优化,利用MSC/NASTRAN进行尺寸优化,并将尺寸优化结果传递给复合形法作为复合形法进行操作的依据。算例表明,本文所提方法可行,所得结果可信度高。  相似文献   
186.
李桦  贾地  范晓樯  李晓宇 《推进技术》2007,28(1):65-67,91
侧板构型和唇口位置是影响侧压式进气道性能的关键参数。选取了5个具有一定代表性的状态点对前/后掠进气道模型进行了计算和分析,重点比较了当侧板前/后掠时进气道的流量系数、压升、出口气流均匀度等性能。通过对比分析,发现侧板前掠时进气道的流量系数、压升大于侧板后掠结果,且进气道出口流场更均匀。当马赫数较低时,前/后掠进气道性能差别比较明显:同为50%溢流窗,来流马赫数4时,侧板前掠的进气道流量系数比侧板后掠的情形高出7.7%;而当来流马赫数为8.09时,侧板前掠的进气道流量系数仅高2.6%。  相似文献   
187.
重点调查及研究高职一年级学生的英语学习策略,并将其记入量表。调查被试者的全国实用英语A级考试成绩,通过SPSS统计分析软件处理,进行学习策略与成绩之间的相关分析。结果显示,学生普遍运用补偿学习策略,记忆学习策略运用得最差。迁移的作用、良好的意义识记能力、悟性及敏感性的提高及言语的感知能力、言语的理解能力可以提高考试成绩,卡片式记忆反而会降低考试成绩。  相似文献   
188.
比较了几种不同工艺制备的针刺毡C/C复合材料。对针刺碳毡织物首先进行预增密处理,得到初始密度和碳纤维含量较高的坯料,然后用树脂浸渍法进一步致密化。研究表明,用该方法制备的C/C复合材料比未经预处理的试样,拉伸强度提高39%,压缩强度提高14%,层间剪切强度提高36%。通过SEM观察和常温力学性能的测试,分析表明工艺的改进是强度提高的主要原因。  相似文献   
189.
以Al2O3为陶瓷基体,hBN为固润滑组元添加剂,在N2保护下烧成,制得了Al2O3/hBN自润滑复合陶瓷,通过SEM、EDS、XRD等分析探讨了固润滑组元的引入量、添加助熔剂及常压和热压两种烧成条件下材料显微结构的变化。结果表明,hBN引入量为10%时已有足够的量均匀分散在基体中;相同烧成温度下,热压过程中施加的压力可以破坏hBN的卡片房式结构,伴随液相的出现有利于hBN的定向排列,获得了结构致密的自润滑复合陶瓷材料。  相似文献   
190.
采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明:入射能量在10~300keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用。  相似文献   
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