液氧/煤油补燃火箭发动机整流栅应用研究

介绍了液氧/煤油补燃火箭发动机整流栅的各种结构,简要叙述了空气吹风模拟试验研究方法与研究结果。利用Fluent软件对燃气弯管内流场进行了数值模拟,分析其流动与压力分布。建立了发动机整流栅声学特性的计算模型,采用变步长四阶龙格-库塔数值逼近方法计算声导纳,并对整流栅抑制高频燃烧不稳定性的机理进行了初步探讨。结果表明,整流栅除了影响燃气入口总压的均匀性之外,还可起到抑制高频燃烧不稳定性的作用。     

阵列表面电弧激励控制激波附面层干扰机理

为了获得阵列表面电弧控制激波/附面层干扰不稳定性机理，开展了高频激励和低频激励的实验研究。综合运用高速纹影、动态压力等先进测试手段和分析方法，揭示阵列电弧等离子体激励的热效应和涡效应特性。结合流动显示和壁面动态压力脉动，深度揭示了控制过程。更为关键的，因为高频激励模式下的激励器处于低功耗状态，这样可以提供稳定的控制效果。基于动态压力频谱分析，发现高频激励下低频不稳定性能量的占比降低12.2%。结合纹影显示，获得高频激励下的涡效应主导机制。     

高频脉冲电流改性SiC/Al复合材料微裂纹愈合机制及组织性能

采用高频脉冲电流技术改性处理轧制态SiC/Al复合材料。首先利用扫描电子显微镜（SEM）和电子背散射衍射仪（EBSD）对不同状态下复合材料的微观组织进行了观察分析，研究了高频脉冲电流作用下微裂纹的动态愈合机制。然后，对复合材料的微纳力学性能及拉伸性能进行了测试。结果表明，高频脉冲电流有效促进了轧制态复合材料发生静态再结晶，使基体晶粒由2.47μm细化至2.02μm，再结晶体积分数由7.43%提高至39.73%，择优取向明显减弱。钻孔-冷轧法预制的微裂纹尖端在高频脉冲电流作用下产生了局部高温，并在压应力的作用下实现了部分愈合。高频脉冲电流处理后，复合材料的拉伸强度和伸长率由347 MPa和12.23%优化至475 MPa和21.65%。研究为拓宽SiC/Al复合材料在航空领域的应用范围奠定了相关理论及实践基础。     

基于响应曲面法的成型CBN砂轮高频感应钎焊温度均匀性研究

成型砂轮在高频感应钎焊过程中存在温度分布不均匀导致钎焊质量无法满足使用要求，这是长期困扰超硬磨料砂轮高频感应钎焊技术的难题。针对该问题，提出温度均匀性的表征方法，以温度均匀度和平均温度为响应值，基于有限元仿真数据获得了响应曲面法模型。基于该模型，采用方差分析成型砂轮感应钎焊温度均匀性的影响因素显著程度由大到小依次为加热间隙、感应电流、导磁体长度。以平均温度值和温度均匀度为优化目标，基于响应曲面法优化线圈结构和工艺参数，开展了感应加热试验，证明响应曲面法模型优化结果的误差在6.94%以内。高频感应钎焊的成型立方氮化硼（cubic boron nitride，CBN）砂轮宏观形貌显示，钎料在成型面各处铺展的一致性好，表明钎焊过程中在成型面的温度分布具有较好的均匀性。     

基于零电压注入的航空电驱动用永磁电机系统零低速无位置传感器控制

针对航空电驱动系统零低速域高性能无位置传感器控制算法的需求，本文提出了一种基于零电压注入的无位置传感器控制策略。首先，针对传统高频注入法的高频噪声问题，引入随机高频信号代替传统信号，在估计的d轴中激励出与位置相关的响应电流。随后，对传统信号及随机高频信号的噪声产生与抑制机理进行理论分析；进一步分析死区效应对位置观测的影响，在随机高频信号注入基础上，额外注入零电压矢量，并设计死区补偿策略以抑制由死区效应所引起的位置观测误差。最后，通过MATLAB/Simulink验证了所提出无位置传感器控制策略的有效性。本文所提出的算法可实现零低速域的低噪声低谐波无位置传感器控制，对航空电驱动系统控制策略的设计具有参考价值。     

热梯度环境下梁高频振动的能量流模型

航空航天领域中的结构常由于高速飞行时的气动加热等因素在内外表面形成明显的温度差异，结构内部也常因此存在温度的梯度分布。为分析含有温度梯度的梁在高频激励下的动力学响应，建立了热梯度梁的能量流模型。首先通过求解热传导方程得到了梁内的温度场。然后考虑温度场对材料属性的影响，确定了梁的物理中性层以消除拉伸-弯曲变形耦合。基于哈密顿原理建立了梁的弯曲变形控制方程，进而得到了梁弯曲变形的波动频散关系。进一步推导得到了周期平均与局部空间平均后梁振动能量密度与能量流之间的关系，通过任意微元体内的能量平衡关系得到了热梯度环境下梁的能量流模型。与基准解的对比表明，建立的能量流模型能得到热梯度梁在高频激励下较为准确的振动能量分布情况。     

基于高频光电导法半导体少数载流子寿命测量系统的设计与实现

基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理，设计了半导体少子寿命测量系统，并在二极管检波电路的基础上，对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路，相比于传统二极管检波电路，运用运算放大器的反馈原理减小了检波二极管压降产生的误差，同时结合二极管嵌位作用，减小了运算放大器压摆率带来的影响，提高了测量系统的检波能力。通过实验，验证了该检波电路的可行性，测试结果表明，有效提升了测量系统的准确性。     

多源干扰下高超声速飞行器自主精细控制

从高超声速飞行器自主精细控制需求出发，研究了器件失效退化、烧蚀变质心、燃料快速消耗等多源干扰与不确定性表征以及飞行器深耦合系统建模方法，提出了干扰在线预示、风险在线预警和强抗扰控制策略，并梳理了若干值得深入探索的前沿科学问题。强抗扰控制的设计目的是通过干扰在线预示、风险在线预警和柔性重构，赋予高超声速飞行器极端环境下强自主、强适应、强生存等智能行为能力。仿真测试结果表明，与传统自抗扰控制方法相比，强抗扰控制方法可显著提升飞行器极端环境下的自主性、适应性和可靠性。     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。