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931.
本文介绍了中国科学院高温气体动力学重点实验室在超高速高焓流动模拟技术和试验方法方面取得的研究进展.文章主要包括三部分研究内容:第一部分是关于发展先进的超高速试验模拟技术,包括爆轰驱动高焓激波风洞和爆轰驱动高焓膨胀管.高焓激波风洞产生的超高速气流速度的范围是3.5km/s~6.0km/s,高焓膨胀管能够模拟速度为6.5km/s~10km/s的超高速气流.第二部分介绍高焓激波风洞喷管流场诊断结果,用来检验喷管产生的超高速流场的流场品质及其与飞行条件的差异.第三部分是关于超高速流动的试验方法和数值技术研究,包括高焓流动中真实气体效应对飞行器俯仰力矩变化的影响;热化学反应流动中表面催化效应诱导的气动热变化规律;喷管流场的气流非平衡效应对试验结果可能产生的影响.  相似文献   
932.
针对镁合金材料耐蚀性差,同时结合航天器电子结构产品对高导电的技术要求,采用碱性镀镍和酸性镀镍相结合的工艺方法,在AZ40M镁合金表面制备具有高耐蚀特性的Ni-P合金镀层。分别采用扫描电镜(Scanning electronic microscope,SEM)、能量色散谱(Energy dispersive spectroscopy,EDS)、X-射线衍射(X-ray diffraction,XRD)对镀层的微观形貌及相组成进行表征分析;采用动电位极化曲线及中性盐雾实验对镀层防腐蚀性能进行评价。实验结果表明:采用该工艺制备的Ni-P合金镀层为明显的非晶态结构,含磷量约为8%,属中磷镀层;当酸性镀镍时间达到60 min以上时,镀层自腐蚀电位在-0.55 V以上,中性盐雾实验48 h表面腐蚀,说明该镀层致密性好,具有优异的耐蚀性能,保证航天器镁合金电子结构产品在地面贮存、实验及空间应用的可靠性。  相似文献   
933.
通过深入分析高光谱图像空间相邻数据之间的空间相关性,提出一种利用空间相关性进行约束的联合子空间追踪解混(Spatial correlation constrained simultaneous subspace pursuit,SCCSSP)方法。该方法首先基于分块思想将高光谱图像进行分块处理,然后在图像块的端元提取步骤中,结合空间相关性特征对端元的提取进行约束,从而确保当前端元支撑集相对于高光谱图像残差是最优的。在丰度估计中将图像块的端元集合合并作为整幅图像的端元支撑集,通过求解非负性约束的最小二乘法获得丰度重建图像。模拟图像数据实验结果表明,本文方法在同等条件下能够获得更高的信号重构误差,且解混运算时间低于凸优化算法。在实际图像数据实验中,本文方法丰度图像稀疏度最低,取得了仅次于SUnSAL-TV算法的图像重建误差,其所得到的丰度重建图像也取得了更好的视觉效果。实验结果验证了本文方法具有更高的解混精度。  相似文献   
934.
高加速寿命试验技术   总被引:8,自引:0,他引:8  
分析了高加速寿命试验的目的和优点,阐述了其特性、原理、应用对象以及实施时机,给出了试验设备和试验剖面的设计以及具体的试验项目和功能测试以及应该注意的问题,最后,提出了这一领域的需要重点解决的问题。  相似文献   
935.
P(VDF-TrFE)和铜酞菁齐聚物的接枝与表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
为提高偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[Po ly(V iny lidene fluoride-trifluoroethy lene),P(VDF-T rFE)]与铜酞菁齐聚物(Copper ph tha locyan ine o ligom er,o-CuP c)复合物的相容性,对聚合物进行化学修饰,赋予其活泼苄氯基团,进而与o-CuP c发生酯化反应,将其部分接枝到聚合物链上1。H-NM R和FT-IR表征证明了接枝的成功。透射电子显微镜(T ransm iss ion e lectron m icroscope,TEM)分析表明,与P(VDF-T rFE)和o-CuP c的共混物相比,所制备的接枝纳米复合物[P(VDF-T rFE)-g-CuP c/CuP c]中o-CuP c的分散性大大提高;o-CuP c颗粒的粒径在60~100 nm之间,约相当于共混物中的1/6。  相似文献   
936.
为了克服双管正激变换器电压增益低、不适合应用于高输出电压场合的弱点,本文提出了一种具有输出耦合电感的高电压增益双管正激组合变换器。该组合变换器既具有双管正激变换器高可靠性的优点,同时电压增益是双管正激变换器的4倍。因此,在相同输入和输出电压条件下,该组合变换器的高频变压器副边输出续流二极管电压应力,为双管正激变换器对应二极管电压应力的1/4,从而在高输出电压应用场合,副边输出续流二极管可以采用低压快恢复二极管,极大地改善了续流二极管的反向恢复问题,提高了变换器的可靠性。  相似文献   
937.
采用微机械电子系统(Micro Electro-Mechanical Systems,MEMS)和硅隔离(Silicon on Insulator,SOI)技术制作出了量程为25MPa的倒杯式耐高温压阻力敏芯片,敏感电阻条与硅基底之间采用二氧化硅隔离,解决了在大于120℃高温下力敏芯片工作稳定性和可靠性的难题。设计了齐平式机械封装结构,避免了管腔效应影响,提高了传感器的动态响应频率。对研制出的耐高温动态压力传感器进行了静态性能和动态性能的标定实验,静态实验温度为250℃,得到了传感器基本性能参数,分析了传感器的不确定度,得出该传感器的基本误差为±0.114%FS(Full Scale,全量程),不确定度为0.01794mV,计算得到了传感器的热零点漂移和热灵敏度漂移指标,由动态性能实验得到传感器的响应频率为555.6kHz,实验表明所研制的MEMS压力传感器在高温下具有良好的精度和固有频率。  相似文献   
938.
在较高风速下研究介质阻挡放电等离子体气动激励对翼-身组合体绕流流动的控制效果.结果表明:在来流风速100m/s的情况下,介质阻挡放电等离子体气动激励能较好地抑制流动分离,失速迎角推迟约30%,升阻比最大提高80%.研究结果为等离子体流动控制技术的应用奠定重要基础.  相似文献   
939.
分别用铁摩辛柯材力法和本文提出的半离散、半解析方法,对固体火箭发动机燃烧室复合材料壳体前后接头连接密封结构的强度与刚度进行了理论分析与计算,并和试验结果进行了对比。  相似文献   
940.
基于有限元法提出了分两步计算缝制孔应力应变的计算方法。第一步,采用释放密封绳与缝制孔接触点切向自由度的方法,模拟密封线与孔的接触,计算缝制线的拉力。第二步,建立绳与孔的局部接触模型,根据前一步计算得到的缝制线拉力,求解缝制孔周围应力应变。最后给出的数值算例验证了该方法可行性。  相似文献   
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