网格对高超声速钝头体表面热流数值模拟结果的影响

高超声速钝头体热流的精确预估,对高超声速飞行器热防护的设计具有重要意义,而网格划分尺度对预估飞行器表面热流精度具有重要的影响。应用理论分析及数值模拟方法,提出了一种基于壁面网格雷诺数及基于钝体特征长度的来流雷诺数网格划分方法,并给出了壁面网格雷诺数的取值范围。应用所提出的网格划分方法,对不同来流条件的高超声速半圆柱及球头表面热流进行了数值模拟,结果表明,应用所提出的网格划分方法,及给出的可供参考的壁面网格雷诺数的取值范围划分网格,在满足高超声速钝体表面热流精度要求的同时,有利于网格合理分布并提高数值计算效率。     

含能材料低温松弛WLF方程的两种求值法

通过玻璃化转变温度和表观活化能以及由ＶＦＴ方程导得ＷＬＦ方程粘弹系数的两种新计算方法。用该方法分别计算１０个体系的粘弹系数,结果表明,用ＤＳＣ技术可以获得ＷＬＦ方程,３种计算方法获得的粘弹系数符合较好。     

高能超声辅助原位合成Al-Cr/Al复合材料

采用高能超声辅助铸造法制备Al-Cr金属间化合物/Al原位复合材料.利用扫描电镜观察复合材料中增强体颗粒的大小、形貌和分布,应用XRD、EDS对复合材料进行物相分析,并研究复合材料的硬度.结果表明:通过高能超声辅助铸造法制备的Al-Cr/Al原位复合材料中金属间化合物增强体颗粒呈多边形,尺寸较为细小,分布均匀;原位反应时Al和Cr首先生成Al0.983Cr0.017金属间化合物,随着Cr含量的增加,然后生成高Cr化合物;随着温度的升高,有利于更稳定、性能更好的化合物生成;这些金属间化合物会相互扩散,最终形成均匀的混合增强相,并保持Al,Cr的原子比例不变;复合材料的硬度随Cr含量的增加而增加,随Cr颗粒尺寸的增加而具有最大值,当Cr含量为10％,粒径为75 μm时,复合材料硬度增加了2.5倍.     

含能材料及相关物的低温焓松弛研究：（I）由DSC获得粘弹系数

用差示扫描量热仪（ＤＳＣ）技术研究了某些含能材料及相关物的低温焓松弛过程及时温等效,通过玻璃化转变温度与升温速率的关系,导出了ＷＬＦ方程粘弹系数的计算式,并计算了１０个体系的粘弹系数,实验结果表明,用ＤＳＣ技术可以测定焓松弛和ＷＬＦ方程的系数。     

HEDM－CMDB推进剂燃烧性能的理论预测

利用建立不久的双基系平台推进燃烧模型，对几种ＨＥＤＭ加入平台推进剂后的燃烧性能进行了理论计算。结果表明：在所计算的几种ＨＥＤＭ中，ＨＮＨＡＡ最有利于提高燃速；ＣＬ－２０最有利于降低燃速压力指数；ＣＬ－２０作为平台推进剂的高能填料综合性能最好。     

高超声速湍流分离激波运动特性

给出半圆柱前缘舵诱导的高超声速湍流分离激波运动特性。实验气流Ｍ数为７．８,单位长度Ｒｅ为３．５＊１０＾７／ｍ。     

高能束流加工技术的现状及发展

介绍了高能束流加工技术国内外现状和水平，阐述了其所具有的特点和在航空航天制造技术中所具有的重要地位，最后指出了今后的研究重点和发展方向。     

软土地基快速处理——高真空击密法的介绍

高真空击密法是加固软土地基的一项新技术，它集排水固结法和强夯法的优点为一体，克服了排水固结（预压法）工期长，强夯法易形成“橡皮土”的缺陷，收到了快速固结，加固软土地基的效果。本文介绍了高真空击密法的加固机理、设计原理和工程特点。     

近月空间带电粒子环境——“嫦娥1号”“嫦娥2号”观测结果

“嫦娥1号”（CE-1）、“嫦娥2号”（CE-2）都安装了1台太阳高能粒子探测器（High-energetic ParticlesDetectors,HPD）和2台太阳风离子探测器（Solar Wind Ion Detectors,SWIDs）,进行了月球轨道200 km和100 km空间环境探测,获得了月球轨道空间高能带电粒子（质子、电子和重离子）能谱随时间的演化特征、等离子体与月球相互作用特征以及太阳风离子速度、密度和温度参量。空间环境探测数据分析结果表明：太阳活动低年、空间环境扰动水平相对较低、月球处于太阳风中时,近月空间带电粒子环境的基本特征与行星际空间相比变化不大。CE-1、CE-2在轨运行期间,发现了多起0.1～2 MeV能量电子急剧增加事件,这些事件发生在月球从太阳风运动到磁尾的所有空间区域,其中20%的事件伴随着卫星周围等离子体离子加速。模拟和统计研究表明：能量电子急剧增加使得绕月卫星和月球表面电位大幅下降导致了离子加速现象的发生;能量电子总流量大于10¹¹ cm^-2时,绕月卫星和月球表面充电电位可达负的上千伏。此外,月表溅射与反射太阳风离子、太阳风“拾起”离子等空间环境事件的发现,揭示了太阳风离子和月球存在复杂的相互作用过程。     

空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究

空间高能质子和重离子是导致元器件发生单粒子效应的根本原因,为准确评估元器件在轨遭遇的单粒子效应风险,必须清楚高能质子、重离子与器件材料发生核反应的物理过程及生成的次级重离子LET（Line EnergyTransfer）分布规律。针对典型CMOS工艺器件模拟计算了不同能量质子和氦核粒子在器件灵敏单元内产生的反冲核、平均能量及线性能量转移值,并分析了半导体器件金属布线层中重金属对次级重离子LET分布的影响规律。计算结果表明：高能粒子与器件相互作用后产生大量次级重离子,且高能质子作用后产生的次级粒子的LET值主要分布为0～25MeV·cm²/mg;高能氦核粒子作用后产生的次级粒子的LET值主要分布为0～35 MeV·cm²/mg;有重金属钨（W）存在时能提高次级粒子的LET值,增加了半导体器件发生单粒子效应的概率,该研究结果可为元器件单粒子效应风险分析、航天器抗单粒子效应指标确定提供重要依据。