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691.
面对愈发复杂的战场环境和任务需求,空中作战从单机、近距的模式不断向远程、多机协同的模式发展,有人/无人机协同作战的形式则可以使两种平台的优势互补,实现整体作战效能的提升,但与此同时,飞行员需要处理的信息也呈爆炸式增长,给飞行员增加了巨大的工作量。在夺取信息优势便是获取远程作战制胜主动权的当今,综合飞行器管理系统的作用更加关键。本文在传统综合飞机管理系统(IVMS)的基础上,突出考虑了远程作战中的长航程需求,以及有人/无人机协同作战场景下机群的任务与路径规划两方面,提出面向有人/无人机协同远程作战的IVMS架构,并从数据交互与调度和递接层次关系两方面分别设计IVMS的逻辑和软件架构,实现了有人/无人机的机载设备和战术任务的综合管理。 相似文献
692.
高培仁 《民用飞机设计与研究》2013,(2):85-87
BBJ是美国波音公务机公司研制的远程双发涡扇公务运输机,采用成熟、可靠、性能优良的波音737(新一代)平台,是波音737(新一代)窄体客机的改型。该机采用航空伙伴公司的融合式翼梢小翼,可使巡航阻力降低5%~7%,航程增加4%~5%。 相似文献
693.
针对开关磁阻电机(SRM)常规终端滑模控制器(SMC)响应速度慢和传统滑模观测器(SMO)存在的抖振问题,提出一种基于改进终端SMC和变速趋近律SMO的SRM瞬时转矩控制(DITC)方法。设计了电机速度误差可快速收敛的改进非奇异快速终端滑模面和可自适应调整趋近律速度的变速幂次趋近律,利用等效控制法,得出了连续非奇异控制律。通过Lyapunov函数证明了该系统的稳定性和有限时间收敛性。设计了变速趋近律SMO以实现SRM无位置传感器控制。采用双曲正切函数作为切换函数,并引入快速幂次趋近律作为SMO速度观测的趋近律,克服了传统SMO固定开关增益带来的抖振和收敛速度问题。通过Lyapunov函数证明了SMO运行的稳定性。仿真和实验验证了所提方法的有效性。结果表明:与常规终端SMC相比,改进终端SMC能够在0.07 s内实现对期望转速的跟踪,调节时间减少了0.04 s,并且系统稳定时转速波动降低了0.5 r/min,具有更好的响应速度和稳定性。在负载突增时,系统转速可在0.02 s内调节至给定值,恢复时间减少了0.05 s,具有更好的调节性能。变速趋近律SMO能够在0.01 s内实现转速估计误差... 相似文献
694.
695.
为满足运载火箭轨道作业段遥测全帧码流中有效载荷姿态、冲击、速率等关键信息参数的挑路、帧重构及传输的需求,提出了一种基于双臂螺旋天线的箭载天基遥测系统设计。本文在通过COMSOL仿真软件对系统双臂螺旋天线在轴向工作模式下的散射参数(Scatter参数,S参数)和远场辐射方向图进行电磁波、频域及重力场耦合仿真分析的基础上,选择了385 MHz、4.77 GHz频段作为主、备份频段进行天基遥测数据的传输,最后在整箭模拟飞行测试中进行了天基遥测系统空间衰减等效实验。实验结果表明,地面天基检测站“捕获”、“载波”、“帧同步”、“符号同步”功能正确,精准完成了箭载天基遥测系统状态锁定,近地轨道处遥测数据传输速率稳定保持在1.2 Mbps,系统链路余量充裕,与现有系统相比同等条件下的箭地通信速率提升比至少达到了76%。 相似文献
696.
冯学伟 《中国民航飞行学院学报》2023,(6):27-30
远程塔台技术可以实现向异地一个或多个机场提供安全、成本相对较低的或者提供应急情况下的空中交通服务。本文梳理了远程塔台技术在国内外的研究和应用情况,总结出远程塔台相对于传统塔台的优缺点,结合我国运输航空和通用航空发展实际提出远程塔台技术在我国发展的设想。 相似文献
697.
698.
699.
对存在未知外界干扰、参数不确定问题的刚–液–柔多体耦合航天器姿态控制进行了研究。将液体燃料的晃动等效为球摆模型,挠性附件假设为欧拉–伯努利梁,运用拉格朗日方法建立航天器的动力学方程。将外界干扰、航天器转动惯量的参数不确定性以及液体晃动和挠性附件振动带来的耦合干扰归结为集总干扰,设计干扰观测器对其进行补偿;在干扰观测器的基础上,设计一种模糊滑模控制律。在原有的终端滑模控制基础上采用模糊控制对切换增益进行改进,达到抑制系统抖动的目的。数值仿真结果表明:所设计的模糊终端滑模控制律不仅能够实现充液挠性航天器的姿态机动,而且能够有效抑制液体晃动和挠性附件的振动,具有更好的控制性能。 相似文献
700.
由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。 相似文献