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就使用示波器进行上升时间测量时,选用不同的带宽、采用率、采样方式、拟合方式及打开通道数目的不同对测量结果所产生的动态误差进行了评估,最后说明了探头、反射、非线性对测试结果的影响. 相似文献
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行人图像分辨率的变化对现有的行人重识别方法带来了很大的挑战。针对这一问题,提出了一种新的跨分辨率行人重识别方法。该方法从两方面解决分辨率变化带来的识别困难:一方面通过通道注意力机制和空间注意力机制捕捉人物特征获取局部区域;另一方面通过核动态上采样模块恢复任意分辨率图像的局部区域信息。为了验证所提方法的有效性,在Market1501、CUHK03和CAVIAR三个公开数据集上开展了对比实验,实验结果表明:所提方法取得了最佳性能。 相似文献
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压电陶瓷灵敏度的大小会直接影响激光陀螺的稳频。为了有效地稳频,提高陀螺性能,必须对压电陶瓷进行筛选。本文给出测量灵敏度及歪扭的大小、方向的原理方法。系统的中灵敏度的测量部分为一四通道Twyman-Green干涉仪。动态歪扭测量部分是利用歪扭造成激光光斑在四象限光电管上偏离,由各象限差动电压来得到其大小和方向。方法理论上能测出高达百分之一波长量级的压电陶瓷厚度变化和千分之一角秒量级的动态歪扭变化。 相似文献
316.
在Si上生长的异质GaAs外延薄膜(记作GaAs/Si)中,存在着深能级,它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于GaAs与Si之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与GaAs/Si的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的GaAs/Si样品是用MOCVD方法生长的,而且具有不同的[As]/[Ga]比。利用组态模型,通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化,获得了Franck-Condon位移。考虑了GaAs/Si的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Franck-Condon位移及带隙移动,修正了施主-受主对、导带-受主及施主-价带间跃迁的能量关系式,给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及GaAs/Si外延薄膜发光谱的特征,鉴定出GaAs/Si中的三个发光峰属施主-受主对复合发光,另外两个发光峰则是由As填隙-Ga空位的复合发光中心所产生。 相似文献
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为了研究冷气通道横流马赫数变化时溢流孔附近流动和换热情况,选取光滑冷却通道、90°溢流孔冷却通道和45°溢流孔冷却通道作为研究对象,保持入口雷诺数为8×104,在横流比分别为0.5和1的情况下,对横流马赫数为0.2和0.7时溢流孔附近流动及换热特性进行数值模拟。研究发现:在相同入口雷诺数和横流比条件下,横流马赫数由0.2增大为0.7时,溢流孔内的回流范围减小,孔内流动阻力变小,冷却通道壁面换热减弱。当横流比变化时,低横流比情况下横流马赫数对冷却通道壁面换热影响要更大。 相似文献
320.
为了深入了解旋转作用对回转内通道换热特征的影响,采用三维数值模拟方法研究旋转数、旋转半径对带肋内通道模型的流动换热影响。通道入口雷诺数为1.7×104、旋转数范围为0~0.09,出口1、出口2、出口3的质量流量分配比为1∶2∶1,旋转半径与水力直径之比的范围为0~69.6。结果表明:旋转作用力使径向出流通道的压力系数逐渐增大,径向入流通道的压力系数迅速减小;径向出流通道后缘面的努赛尔数(Nu)随旋转数增加而增大,径向入流通道后缘面的Nu随旋转数增加而减小,前缘面Nu随旋转数变化情况相反;前、后缘面Nu沿流向均随旋转半径与水力直径比的增加略有增大,旋转半径变化对壁面换热影响较小。 相似文献