航空发动机轴心通风系统的结构演变及分析

广泛地收集了现代航空发动机所采用的轴心通风系统的结构及演变情况，对不同的结构形式进行了理论估算。在对比理论计算与试验结果以及对各种形式的结构演变进行对比分析的基础上，提出了轴心通风器特有的设计思想。     

现代飞机交流电源过电压保护问题探讨

本文在分析现代飞机电源系统所使用的几种过电压保护装置工作原理的基础上,着重对其反延时特性和动作电压进行计算,并就决定和影响过电压保护性能指标的电路参数的调整进行了计算和论述。     

静电防护技术

静电防护技术可用于一切需要防静电的场所。本技术可保护敏感元器件不受静电损坏，从而保证产品质量，提高企业效益。本成果包括：敏感元器件静电防护细则和防静电产品(腕带监示器、防静电剂、人体综合电阻测量仪)敏感元器件静电防护细则已成为生产工艺性文件；腕带监视器反应灵敏，有声、光报警；防静电剂外观为微黄色液体、透明，气味芳香，密度1．3g／cm^3，     

翼型动失速和非定常载荷的综合翼型数据方法

本文给出受迫谐振翼型的动失速工程估算方法。本方法基于凤洞试验，综合分析翼型动、稳态特性之间的差别与动、稳态条件之间的关系，建立一套估算动、稳态特性之间差别的经验公式，修正稳态特性，得到相应的动态特性。用本方法计算了三种翼型不同动态条件（包括深失速和后掠）的动失速特性，并与测量和文献结果进行了比较，结果符合得相当好。     

数据库中特殊符号输入方法研究

介绍了特殊符号在数据库中输入时所遇到的困难。按照特殊符号在数据库中存储的不同形式给出了解决难题的两种不同方案：造字字符方式和UCS方式,并对两种方法进行了比较,从而有效解决了数据库中特殊符号的存储问题。     

甚低噪声FET输入放大器

本文介绍了一种甚低噪声 FET 共源一共栅输入放大器的设计、原理和特性。这种放大器在频率为500Hz～500kHz 范围内的噪声指标小于1.2nV/Hz~(1/2)和0.25fA/Hz~(1/2)。适当加以变化,可用千1Hz～30MHz 频率范围的各种要求低噪声增益的场合。     

钛合金胶接点焊接头的性能检测

研究了不同焊接电流下钛合金板胶接点焊接头的A扫描信号和C扫描图像特征,并进行了拉伸-剪切试验。结果表明:通过观察C扫描图像的特征与A扫描信号的变化,能够划分胶接点焊接头的胶层区、热影响区、熔合区、熔核区以及焊接缺陷;随着电流(7~10 k A)的逐渐增大,接头熔核直径呈递增趋势,相应的失效载荷从7 231.5增加到10 939.0 N;当电流为7 k A时,在C扫描图像上反映出飞溅缺陷,此时接头失效载荷远小于没有出现飞溅的接头,可见飞溅降低了胶接点焊接头的拉剪载荷。     

支持多路混合电压边界扫描链测试的适配方案

从边界扫描链的基本结构和边界扫描链的构建原则入手,提出了一种支持电路板上多路混合电压边界扫描链测试的适配方案,有效解决了同一电路板上混合电压的边界扫描链不能用同一JTAG控制器测试的问题.该适配方案可将电路板上不同电压的边界扫描链路经电平转换后由用户自主选择是分链测试,还是构成一条链路进行测试.该适配方案灵活简便,可增强芯片间的互连测试能力,并提高电路板的测试覆盖率.     

强不确定系统“全系数之和等于1”的实现方法

摘要： 研究强不确定系统“全系数之和等于1”的实现方法，强不确定系统指的是系统的静态增益及其界不完全确知且范围较大.“全系数之和等于1”是吴宏鑫院士20世纪80年代发现的，该原理表明，对于未知连续系统，其离散化系统的系数的和在一定条件下是1.该原理的发现对于解决闭环辨识和自适应控制的瓶颈问题具有关键作用.“全系数之和等于1”是在一定条件下成立的.为了实现系统的“全系数之和等于1”，需要对系统进行一定的变换，以满足所需条件.其中，采用静态增益的标称值的倒数进行输入变换的方法在实际中得到了广泛应用.但是，当系统的不确定性较大时，该变换将带来较大偏差.针对该问题开展了深入研究，明确给出了系统静态增益的不确定性与标称值的比值的关系对于实现“全系数之和等于1”的影响.当不确定性与标称值的比值较小时，可以近似实现“全系数之和等于1”；当比值较大时，进一步给出了通过选取合适的采样周期，近似实现“全系数之和等于1”的方法.本文的研究对于特征模型理论在实际中的应用提供了一定的基础.     

一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

对MOS器件总剂量辐照机理的研究，多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对，以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发，分析γ射线对MOS器件的阈值影响，但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析；重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明：低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电；高压PMOS器件版图设计不当时，长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。