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文章从动力学结构分析应变测量的基本原理入手,着重介绍了国防高科技试验中,在强辐射、强电磁脉冲干扰环境条件下,为保证应变测量的实现,经模拟试验研究,在应变测量时采用了一系列抗干扰技术措施,包括特殊环境条件下所用元器件材料的选择,传感应变计安装方式,组桥接线方式,密封屏蔽等技术。并介绍了这些技术措施在某试验现场应变测试试验中的应用概况. 相似文献
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文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。 相似文献
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据美国1997年1月6日至12日的《空间新闻》报道,美国国家研究委员会最新的一份报告说,NASA在发射载人火星航天器之前,至少还需花10年时间,在地面上进一步研究深空辐射对生物的影响。这份题为“辐射对行星际航天员的危害:生物学问题及研究对策”的报告指出,NASA在对辐射危险及其对健康的有害影响获得更深人的了解之前,应当立即增加生物学和空间辐射物理学方面的研究经费,并推迟行星际飞行器辐射屏蔽的设计。在地球大气层和磁层外飞行的航天员受到两种辐射源的高强度辐照:一是太阳粒子事件;二是连续的高能宇宙射线。据认为,长期… 相似文献
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SRAM FPGA电离辐射效应试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对SRAM FPGA空间应用日益增多,以100万门SRAM FPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66 MeV·cm2/mg,出现SEU(单粒子翻转);LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66~64.8 MeV?cm2/mg范围内,未出现SEL(单粒子锁定);试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75 krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效。试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI。SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(TMR)配合定时重新配置(Scrubbing)。关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA。 相似文献
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回转体流噪声相似律的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了回转体流噪声实验的方法,并对实验测得的回转体流噪声声功率谱的谱特性进行了分析。测量结果表明:在高频段,回转体流噪声功率谱按6dB/倍频程衰减;且其声功率谱与流速的7次方成正比。基于本实验,验证了回转体流噪声相似律理论。 相似文献
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给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一. 相似文献
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