心舞银河

生命的形成已是十分不易，而自我个体的形成那更是千难万险——如果你细细推敲的话便会发现，每一个自我个体的形成，都需要有千千万万个极其偶然的因素来造就，并且还是缺一不可!     

圆弧变截面碳/环氧辐射肋芯模研制

介绍了一种圆弧变截面空心薄壁碳/环氧辐射肋成型芯模,涉及芯模设计、制造、脱模、检测、校形等相关技术。采用该芯模制造的圆弧变截面碳/环氧辐射肋应用于高精度网状抛物面天线,芯模精度稳定,满足碳/环氧辐射肋成型要求,芯模制造成本低,经济实用。     

反红外伪装

随着红外探测器的出现,反红外伪装的研究已成为当务之急。本文简要介绍反红外伪装的方法和器材,内容包括:(1)反红外侦察涂料;(2)迷彩伪装;(3)伪装烟幕;(4)红外诱饵;(5)红外辐射屏蔽。     

美国研发应用于太空环境的电子技术

2006年5月底，NASA与大学和工业界共同组成的一个团队签订了1份为期1年价值275万美元的合同，目的是进一步开发一种可靠的、具有良好成本效益的电子技术，这种技术能够帮助极端寒冷和太空辐射环境中的机器人和人类太空任务操作。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.     

美国海军再一次成功试射先进反辐射导弹

美国海军在4月初再一次成功试射了先进反辐射导弹。项目负责人表示，试验检测了先进反辐射导弹的所有新组件，尤其是反辐射寻的与全球定位系统。     

电子设备的电磁兼容性控制

电磁兼容性控制是电磁兼容领域最重要的一环，它直接关系到电子设备的电磁兼容性能是否能到比较好的水平，它几乎囊括了电子领域全部的内容，本文仅从工程实际提出进行电磁兼容控制采取的一些措施。     

辐射波导加工中的公差控制

本文导出了辐射波导加工中的公差与电压驻波比ρ_0的关系式。定义了公差半径R、控制点M_0及控制量f_0等。并分别就裂缝口面上贴有薄膜与不贴薄膜的辐射波导进行了计算。最后还提出了在微波天线加工及测试中应该重视的问题。     

舰载主动电子反制系统（上）——拨开战场迷雾

电子反制是指一切破坏和干扰敌方雷达或光电系统检测我方目标信息的技术，也就是使敌方不能有效的获取、传输和利用电子信息，藉以影响、延缓或破坏敌方指挥决策过程与制导武器的使用。运用的方式包括破坏性（destructive）与非破坏性（nondestructive）两大类：破坏性电子反制是以电磁能（如电磁脉冲）、定向能（激光、微波）或反辐射武器直接攻击敌方人员装备；非破坏性电子反制即俗称的软杀伤（SoftKill）．主要是通过使对方感测器收到辐射或散射的干扰信号，来破坏或欺骗其正常的作业，进而保护己方作战平台或军事目标兑遭敌方导引武器的攻击，