硅片在快速热处理系统中的温度测量

国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率，开展了硅片快速热处理的研究，在这项新技术中温度测量起着关键的作用，由于地快速热化学蒸汽沉积过程中，硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时，同时测辐射量和反射率２个参数，然后由反射率计算发射率，通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术，并介绍了原理，实验设备和初步实验结果。     

ASIC技术在弹载计算机小型化中的应用

扼要介绍了高层次设计方法和ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）技术，并给出了一个在弹载计算机小型化设计中的应用实例。     

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。     

日本开发成功高效光信号转换技术

据中国科技部网站2012年3月7日消息，日本独立行政法人产业技术综合研究所和NEC公司合作，成功研发出光纤与光电集成电路之间的高效光信号转换技术。该研究利用硅光电技术研制出的多路硅光波导转换器，可方便地安装在光电集成电路和光纤之间，     

脉宽调制器中一类振荡器的全面解析结果

用分析法全面讨论脉宽调制器（IC：1842/3/4/5,1842A/3A/4A/5A）中振荡器的振荡特征参数（占空比D和频率f）与外接电阻R和电容C的关系.我们得到以R、C为自变量表达D和f的函数,以D、f为自变量求R、C的函数.并根据这些函数的计算结果绘制描述D、f、R、C（1F）4个参数之间的关系曲线.这些结果,不仅提升了对这类振荡器的认知,而且可供设计时直接引用和参考.     

一种基于FPGA的抗辐射加固星载ASIC设计方法

针对静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)空间应用的问题,提出了基于FPGA星载抗辐射加固专用集成电路(ASIC)设计的全流程,并重点对扫描链设计、存储器内建自测试、自动向量生成、ASIC封装设计、散热设计、加电振动试验等关键点的设计方法和注意事项进行了介绍。通过设计、测试、封装、试验,实现了基于静态随机存储器型FPGA转化为抗辐射加固ASIC。ASIC抗辐射总剂量大于100krad(Si),抗单粒子闩锁(SEL)阈值大于75 MeV·cm~2/mg,抗单粒子翻转(SEU)阈值大于22 MeV·cm~2/mg,满足空间应用的要求,具有很好的应用前景。     

宇航专用集成电路(ASIC)设计流程的标准化

结合宇航ASIC的产品特点,将宇航ASIC设计流程划分为4个主要步骤(功能模块划分、逻辑设计、逻辑验证和物理实现),为每个步骤制定出总体设计方法与规则,在每个ASIC设计流程的细分环节中提炼出共性设计指标和方法,在宇航ASIC设计流程个环节建立相应的标准。     

现场可编程门阵列及其在综合字符发生器中的应用

本文阐述了实现ＡＳＩＣ的三种途径，简要介绍了ＦＰＧＡ器件在综合字符发生吕中的初步应用，并对该器件在航空电子领域的应用前景作了展望。     

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径：首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。     

基于金刚石氮–空位色心的微波磁场成像技术的可靠性研究

相对于单片微波集成电路（MMIC）芯片的设计与制造工艺发展,芯片的测试与失效分析研究进展缓慢。文章首先调研了基于金刚石氮–空位（NV）色心的高空间分辨率微波磁成像应用及通过磁成像技术反演电流分布的技术进展;继而进行了基于NV色心系综微波磁场成像技术的MMIC热态可靠性研究。结果表明：利用基于金刚石NV色心的微波磁场成像技术,对毫米波微波芯片表面的二维矢量场进行高空间分辨率、高灵敏度的快速成像与重构,可以采集芯片在正常和非正常工作状态下的磁场成像信息;进一步对微波芯片内部的信息进行反演重建,可以实现芯片内部故障点的精确定位诊断和潜在故障点排除。所做研究有望为芯片设计、生产、测试提供可靠性诊断。