子阵级应用延迟线对相控阵天线带宽改善的分析

采用频率无关移相器的相控阵天线的波束指向会随频率发生变化.实时延迟线是提高宽带相控阵天线指向精度的重要方法.分析了平面相控阵天线波束指向随频率改变而产生漂移的现象,理论分析和仿真结果均表明,当频率改变时,平面相控阵天线的波束指向仅在俯仰角面发生漂移,而在方位角的指向不变.详细讨论采用子阵分割技术,并在子阵级别用实时延迟线,单元内采用移相器的混合波束控制技术.结果表明,这种方法可以有效扩展相控阵天线的带宽.     

空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法

以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法.分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电...     

空间辐射环境单粒子效应研究

文章介绍了空间辐射环境对航天器电子元器件产生的单粒子效应的国内外研究情况,从环境模拟方法、模拟试验设备、单粒子效应及防护以及飞行试验等方面进行了分析比较。文章对国内研究发展提出了一些建设性的建议。     

高功率微波对电子设备的影响分析

高功率微波能够破坏依靠电信号工作的系统,在现代化战争中有很大的应用空间.简要介绍了高功率微波辐射效应及其等级分类,进一步阐述了高功率微波对电子设备或电气装置的破坏效应,着重列举了高功率微波对不同电子设备的破坏阀值.     

典型CMOS存储器电离辐照效应

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现：不加电（冷备份）状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。     

薄层复合材料冲击损伤行为研究进展

采用展宽减薄丝束的薄层复合材料具有显著的就位效应,导致其变形和失效机制更为复杂,并显现出不同于常规的损伤失效规律,引起了科研工作者的广泛关注。本文从薄层复合材料冲击损伤角度回顾了自薄层复合材料工业化应用以来,各类薄层复合材料冲击失效模式、层间断裂韧性和计算分析方法的研究现状,总结分析了降低单层厚度对复合材料冲击损伤行为的影响规律以及薄层复合材料冲击仿真分析的建模要点,展望了薄层复合材料冲击损伤研究待解决的关键科学问题和未来的研究要点。     

基于量子化、芯片化的先进计量测试技术发展动态

计量是国家质量基础的重要组成部分,产品质量的提升离不开科学、精准的计量。工业发达国家极为重视计量测试技术的发展。通过搜集、整理量子效应计量、芯片级计量等国内外大量文献资料,归纳分析了近年来国外先进计量测试技术发展动态与趋势。以量子技术和基本物理常数为基础建立量子计量基标准,将大幅提高测量准确度和稳定性,结合量子效应的微加工技术实现芯片尺度的测量等,微纳尺度计量技术也在科学研究、精密测量、智能制造等领域得到广泛应用。本文可为我国计量技术发展提供借鉴。     

飞机姿态仪中的人机工效

飞机姿态仪具有运动地平线和运动飞机等不同格式,不同格式的姿态仪对飞行员的仪表识别及飞行安全产生不同的影响作用。本文概述了不同格式姿态仪的人机工效问题,总结了国内外对姿态仪识别绩效的研究进展,分析了影响姿态仪识别的因素。在此基础上,归纳出运动飞机格式具备识别优势的4点工效学机制,即显示画面原则、三维空间神经心理模型、刺激-反应相容性和反应-效应相容性。最后,针对近年来出现的航空新技术,提出了未来姿态仪人机工效研究需要解决和关注的问题。