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201.
使用有限元软件模拟8 mm挤压式无扩口导管成形过程。模拟表明:在成形过程中,尖角区域的导管材料发生了较大的塑性变形。回弹后,管套与导管间存在大量残余接触力,保证管套与导管间的接触。最后参考模拟值进行管件预装并验证其气密和连接强度性能符合相关标准。  相似文献   
202.
复合桩基是考虑桩与承台底地基土共同承载的一种桩基础形式,在沿海地区得到了广泛的应用.本文建立了竖向荷载作用下的复合桩基的有限元模型,分析了承载过程中的受力性能,并揭示了桩距对桩土分担比的影响规律.  相似文献   
203.
锪窝孔边扇形角裂纹应力强度因子的三维有限元分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
沈海军  郭万林 《航空学报》2002,23(2):106-110
 根据航空等领域内锪窝铆接及锪窝锣接构件的典型结构特征,采用三维的十节点四面体等参有限单元模型,分别对无裂纹及孔边含裂纹锪窝孔 /直通孔结构进行了模拟分析;得到了锪窝孔构件的危险部位及90°,120°锪窝孔边扇形角裂纹的应力强度因子,给出了覆盖面广的计算曲线;通过对计算结果的分析,讨论了裂纹长度、孔径以及板厚等因素对应力强度因子的影响。和已有的文献比较表明,本文数值结果精确,方法可靠。  相似文献   
204.
梯度热障涂层的设计   总被引:7,自引:3,他引:7  
 采用电子束物理气相沉积方法 (EB PVD)制备了梯度热障涂层,其结构设计为NiCoCrAlY粘结层 /Al2O3 YSZ过渡层 /YSZ陶瓷层。YSZ陶瓷层的结构为柱状晶结构,Al2O3 YSZ梯度过渡层为梯度微孔结构。采用有限元方法对梯度热障涂层进行热应力分析,优化了Al2O3 YSZ梯度过渡层的组成。计算结果表明,梯度涂层的内应力显著降低,而且界面及其附近应力和应变变化较平缓。过渡层厚度的增加有利于降低涂层内应力和缓和涂层界面处的应力集中。  相似文献   
205.
采用大型通用分析软件MSC/NASTRAN,对含有不同缺陷尺寸的钢管,进行三维非线性有限元强度分析。并给出了缺陷的深度、轴向尺寸、环向尺寸对钢管强度影响的计算分析结果。  相似文献   
206.
能量法和加权残值法的联合应用——构造有限元的新途径   总被引:1,自引:0,他引:1  
龙驭球  赵俊卿 《航空学报》1990,11(5):230-235
 本文将能量法和加权残值法结合起来(记为EWR方法),构造非协调位移元,特点是(1)做法简便——用加权残值法来放松单元间位移连续条件。可使能量泛函中不再包含不协调位移引起的能量贡献项,于是单元只有位移一类变量。(2)使用可靠——由于将加权残值法与能量泛函统一考虑.权残方程可赋予明确的物理意义。一方面。适当选择权函数,权残方程的满足就意味着非协调元收敛准则的满足。另一方面,变换权函数,可将现有各种位移型单元纳入EWR方法的统一形式中。  相似文献   
207.
讨论了基于系统总质量最优化要求下的固定-固定型无阻尼弹簧质点系统的构造问题,通过求解广义逆特征问题获得了该问题的可解性条件和解的表达式,给出了数值算法和算例.  相似文献   
208.
张洪武  张昭  陈金涛 《航空学报》2006,27(5):949-956
基于有限元方法对不同搅拌头平移速度下搅拌摩擦焊接过程中焊接构件Al6061-T6材料的三维流动问题进行分析,研究了搅拌头平移速度的变化对等效塑性应变的分布和材料流动的影响。结果表明,搅拌头前方的材料向上涌起,被旋推到搅拌头后方并开始向下运动,这一过程是促使搅拌摩擦焊接顺利完成的主要原因。材料的等效塑性应变等值线与不同焊接区域的边界具有较好的对应关系。随着搅拌头平移速度的增加,垂直于焊缝方向上的截面上,等效塑性应变减小,但是材料的流动速度会随之增加。较低的搅拌头平移速度有利于焊缝中心线两侧材料的融合。  相似文献   
209.
飞机整体结构件加工变形的有限元模拟与试验研究   总被引:1,自引:3,他引:1  
在模拟淬火、拉伸过程获得含有初始残余应力的预拉伸板材以及模拟单齿切削过程获得切削载荷的基础上,提出并采用接力算法,对一航空整体结构件的材料铣削过程进行有限元仿真,同时进行了试验研究.结果表明,有限元模拟的整体结构件的变形与试验具有一致性,从而证明提出的整体结构件加工仿真关键技术的可行性,避免了为研究加工变形而进行的繁琐的试错法.  相似文献   
210.
采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明:入射能量在10~300keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用。  相似文献   
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