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441.
《宇航材料工艺》2005,35(2):33-33
高压光电隔离传感器是唯一的组件式高压隔离器件。采用无源微功耗厚膜电路,伏频变换的光脉冲调制,光纤传输和特种绝缘材料,以及电-光、光-电直接耦合等先进技术。电路设计先进,检测有独创之处。该传感器耐高压,耐高低温,精度高,是高可靠性组件。本传感器既能对高压隔离,又能精确地测量和控制电压信号。体积小、质量轻,性能稳定可靠,是雷达、电视发射机中不可缺少的电压测量和控制器件。  相似文献   
442.
通过在微弧氧化电解液中添加纳米SiO2颗粒配制纳米电解液,在铝合金表面制备了纳米复合微弧氧化层,考察了恒电压和恒电流两种模式下纳米SiO2复合对微弧氧化层生长动力学的影响.结果表明,恒电压模式下,纳米SiO2复合大幅度提高了生长电流和微弧氧化层生长速率;恒电流模式下,纳米SiO2复合提高了微弧氧化层生长速率,电流效率提高.纳米SiO2颗粒在纳米复合微弧氧化层中掺杂,形成杂质能级,并且降低了微弧氧化层材料的禁带宽度,促进了微弧氧化电击穿过程,是纳米SiO2复合促进微弧氧化层生长的主要原因.  相似文献   
443.
大气状态下利用接触模式原子力显微镜(AFM)动态电场和静态电场及轻敲模式AFM静态电场制备了一维纳米光栅,对纳米光栅结构的特征进行了比较并对电场诱导阳极氧化加工的机理作了相应的理论分析。  相似文献   
444.
采用电弧熔炼法制备了Fe3Si金属间化合物.选用AISI 304不锈钢作对比,研究了Fe3Si在800℃和900℃空气环境中的高温抗氧化性能,利用XRD,SEM,EPMA等测试设备对Fe3Si金属间化合物进行了表征.结果表明:在800℃,900℃下,Fe3Si金属间化合物都表现出较AISI 304不锈钢更好的高温抗氧化...  相似文献   
445.
在TC4钛合金上制备微弧氧化不同时间的氧化膜,然后进行化学镀Ni-P镀层,利用SEM、涂层附着力自动划痕仪和热震试验,研究不同微弧氧化膜结构对钛合金化学镀Ni-P镀层结合性能的影响.结果表明:随着微弧氧化时间的增加,微弧氧化膜表面的粗糙度增大,表面微孔逐渐变大,孔口先变成敞开形式然后慢慢缩合,最后变成凹槽状.微弧氧化时...  相似文献   
446.
2D-C/SiC复合材料在空气中的高温压缩强度研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了二维碳纤维增强碳化硅基复合材料(2 D-C/SiC)在空气介质中的高温压缩强度.材料采用1K T300碳纤维平纹布经叠层和缝合制成预制体为增强体,经等温化学气相浸渗制备而成.试样表面用化学气相沉积工艺沉积SiC涂层.测试方向为垂直于炭布叠层方向,测试温度为室温,700℃,1100℃和1300℃.使用扫描电子显微镜观察了材料的断口.结果表明:室温~700℃,2D-C/SiC的压缩强度随温度升高逐渐增大,温度高于700℃后,材料的压缩强度缓慢降低.导致2D-C/SiC的压缩强度随温度变化的主要原因为纤维和基体热膨胀系数不同引起的残余应力随温度升高逐渐变小和高温下材料的氧化损伤.  相似文献   
447.
研究了日光/H202/草酸铁体系以日光为驱动力对可溶性染料活性艳红进行降解反应,探讨了溶液的pH、H2O2、光强和活性艳红的起始浓度对催化反应的影响。结果表明,对活性艳红的降解速率受pH、H2O2、草酸铁的浓度、入射光强的影响很大。在研究范围内,pH=3.0和在日光照射下其降解效果最好,同时,表明在同一光强光源条件下色度、TOC的去除率均比在UV/TiO2的效果好。  相似文献   
448.
Ti6Al4V钛合金在不同钙磷浓度电解液体系中进行微弧氧化制得氧化膜,并进行水热处理。采用SEM观察微弧氧化膜微观形貌,使用EDS、XRD分析膜层成分和相组成。结果表明:电解液中钙磷浓度直接影响其在膜层中的含量,且钙离子主要靠扩散作用进入膜层,而磷离子靠电迁移进入膜层;微弧氧化膜中的钙盐、磷盐水热处理后转化成具有生物活性的羟基磷灰石,但处理温度过高,会出现晶粒粗大,适宜的水热处理工艺是200℃水热处理12小时。  相似文献   
449.
通过采用磁控溅射技术,在TC4钛合金表面制备铝镀层,然后对其进行微弧氧化,并与TC4钛合金微弧氧化膜的性能进行了对比,研究了TC4钛合金磁控溅射镀铝微弧氧化膜的性能。研究结果表明:TC4钛合金磁控溅射镀铝后的微弧氧化膜表面比TC4微弧氧化膜更加平整、致密,其硬度是TC4微弧氧化膜硬度的3.015倍,其结合性能和摩擦性能均优于TC4微弧氧化膜。  相似文献   
450.
Mo-Si-B三元系金属间化合物合金具有高熔点,存在韧脆转变,且有良好的高温抗氧化性和相对低的密度,是极具潜力的超高温结构材料;但是也存在低温脆性大,高于1 300 ℃时高温强度尤其抗蠕变能力不足的缺点,阻碍 了其应用。本文从制备工艺、组织结构、高温抗氧化性能、力学性能和合金化等几个方面综述了T2,Moss+Mo3Si+T2和T1+T2+Mo3Si三个相区合金的研究现状。并且指出,原位合成制 备技术和“少量多元”合金化是Mo-Si-B三元系合金未来的发展方向。  相似文献   
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