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111.
动力吸振器用于飞机壁板减振降噪的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
孙朝晖  戴扬  孙进才 《航空学报》1993,14(10):506-509
在对飞机壁板附加动力吸振器前后的振动分析基础上,设计了适合于飞机壁板安装的动力吸振器,在~块飞机壁板上进行了实验,结果与理论计算~致。研究表明,动力吸振器用于飞机壁板减振降噪具有良好的前景。  相似文献   
112.
风洞模拟近地面大气边界层   总被引:6,自引:1,他引:6  
本文通过大气边界层风洞的模拟实验,介绍一种在风洞中模拟近地面大气边界层的方法。根据大风地区的现场实测资料,对大气的风剖面及湍流度等有关参数,提出了一些特殊的要求。常规的模拟方法难以保证与实际风环境的相似,为此专门研制了一种在保证平均风剖面相似的前提下,可使气流产生大湍流度的装置,简称湍流度调节器。通过对模拟边界层的平均风速,湍流度及风速谱的测量分析,证明与实际风区大风环境的风结构相当一致。为解决实  相似文献   
113.
考虑辐射的化学平衡流驻点线解   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用数值方法求解了化学平衡的高超声速粘性激波层驻点线流场。考虑了辐射和质量引射对流场的影响。辐射模型采用线和连续谱模型。文中讨论了引射率、头部半径、来流速度对壁面传热的影响。与有关文献结果比较表明,本文的方法是可行的。  相似文献   
114.
115.
116.
本文探讨了机械加工中,切削用量优化目标函数,优化数学模型,优化方法步骤。以期用该模式取代凭经验选定切削用量的方法,从而提高经济效益。  相似文献   
117.
“电热膜—远红外”电热系列产品的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
118.
从工程实用观点出发,引入考虑主流紊流度影响的经验关系式,对McNally程序的前驻点、层流区计算方法和转捩模型进行了改进;引入“紊流度粘性”和间歇因子的概念,并综合考虑压力梯度、紊流度和进、出口雷诺数等因素对转捩的影响。对STAN5程序的层流区和过渡区计算方法进行了改进,采用相似解方法计算前驻点区的流动和换热,作为STAN5程序的初始条件。用改进的程序,对C3x、MKⅡ、Turner、Daniels和VKI叶型,在多种工况下的二维外边界层流动和换热进行了计算研究,分析和比较了程序中积分法和差分法的特点,总结出一套适用于工程设计计算的方法和程序。  相似文献   
119.
武渊  何国强  乐发仁 《推进技术》2007,28(4):342-345
为了研究飞行过载对固体火箭发动机燃烧室化学反应流场影响,以Liang模型模化铝滴燃烧,以有限化学反应速率模型模化湍流燃烧,对过载条件下发动机内流场进行了数值分析,数值结果与试验结果取得了趋势上的一致。研究表明,文中采用的数值计算方法可有效重现发动机热结构故障点;飞行过载改变了流场温度、粒子浓度、化学反应速率等参数分布;过载条件下燃烧室绝热结构表面铝滴积聚及剧烈的化学放热反应是导致其异常烧蚀的原因之一,铝滴局部积聚燃烧会导致温度场畸变;热结构设计必须与流动结构匹配。  相似文献   
120.
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT's anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed: Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.  相似文献   
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