基于磁流体控制的高超声速进气道黏性效应

建立引入电磁源项的二维低磁雷诺数磁流体动力学(MHD)方程组,对高超声速二维前体/进气道黏性流场进行了数值模拟.在给出了进气道高于设计马赫数的非设计工况下黏性流场的基本特征基础上,进一步分析了施加MHD控制对进气道黏性效应的影响.结果表明:施加MHD控制可以有效抑制非设计工况下内进气道表面的附面层分离,改善上壁面的热状况,平衡上、下壁面之间的热负担;黏性作用下,进气道流场及性能参数随磁感强度的变化规律与无黏模型计算结果存在较大差别,对磁流体控制的高超声速进气道研究不可忽略黏性的影响.      

高压比离心叶轮自循环机匣处理扩稳研究

为了探索自循环机匣处理扩稳机理,利用全三维数值模拟方法对应用自循环上游槽封闭机匣和自循环机匣处理结构两种情况下的Krain高压比离心叶轮进行了详细研究.对比结果表明:自循环机匣处理能有效的延迟失速的发生并在近失速区域略微提高压气机的效率以及总压比.通过详细的流场分析表明:该机匣处理能有效地减小叶顶栽荷,从而降低泄漏流相对速度,抑制间隙泄漏涡在叶顶通道内的发展以减小低速气流在流道内的阻塞,提高转子通道的通流能力,从而达到扩大稳定工作范围的目的.     

基于振动传感器的周界围栏报警监控系统设计

利用一种滚珠式振动传感器,设计了一款周界围栏报警系统,一旦发生非法入侵人员攀爬围栏时,由该系统发出报警信号.针对室外大风及暴雨对传感器带来的虚警,本文依据入侵人员的振动信号具有一定的周期性,提出了一种高准确率的入侵信号检测方法,以提高报警系统的检测率.文中利用MATLAB软件对采集到的信号进行了仿真处理,同时提出了一种基于单片机的快速算法,以实时准确地完成入侵人员的检测,实验验证了该方法的有效性及稳定性.     

引接华北地区航班数据的实现

随着近年来空域不断改革,各飞行区域内航班总量和航班密度迅速增加,空管各专业技术人员和领导的安全责任也日益增大。在全面加强安全保障设备设施和能力的同时,民航空管局在空管运行监控方面加大投入,先后引进先进技术,建立综合运行监控机制,通过及时掌握各类飞行活动及空管运行     

单级固溶处理对7136铝合金组织及力学性能的影响

通过OM,SEM,DSC差热分析和室温拉伸性能测试,研究了单级固溶处理对7136铝合金挤压板带组织和力学性能的影响。结果表明:合金固溶处理温度越高,时间越长,粗大第二相溶解越多;合金在480℃进行固溶处理时,出现过烧组织特征。随着固溶时间的延长,呈现出晶粒粗化和再结晶组织比例增加的趋势。本合金适宜的单级固溶制度为470℃/4h,再经(120℃/24 h)峰时效处理后,合金抗拉强度、屈服强度和伸长率分别为698 MPa,47MPa和12.8%。     

超高温度梯度定向凝固NiMnFeGa磁致形状记忆合金

利用超高温度梯度定向凝固装置制备出定向Ni51.2Mn20.0Fe13.0Ga15.8磁致形状记忆合金.沿晶体生长方向凝固组织由等轴晶逐渐过渡为柱状晶,马氏体变体取向性明显,γ相愈加细小,分布愈加均匀.Ni51.2Mn20.0-Fe13.0Ga15.8合金在加热和冷却过程中发生热致马氏体相变及逆相变,马氏体相变温度Ms＝121.3℃,Mf＝99.3℃,As＝118℃,Af＝147℃.     

铝锂合金板材冲压成形极限研究

通过对 2 0 90 ,2 0 91和 80 90铝锂合金板材的冲压成形性能试验和杯突试验 ,获得了铝锂合金板材冲压成形极限图 ,提供了工艺参数数据     

基于OpenGL的快速成形软件开发技术

简要介绍了快速成形软件开发中OpenGL环境的建立方法,分析了软件编写过程中的分层算法有向加权图数据结构和扫描路径的生成算法并给出了应用实例。     

CMG磁悬浮转子系统的模型与控制律

 以刚体的平动和转动为状态构造主动磁轴承(AMB) 转子控制系统模型,可以清晰反映控制力矩(CMG) 陀螺效应的影响。利用此模型,着重分析了目前常用的分散控制和分散加交叉控制方式下转子的后向涡动特征,并提出模态解耦控制的概念,指出此控制律可以根除转子的后向涡动,且具有最佳的稳定性。     

Co/NM/FM(NiFe and Co)纳米多层膜的层间耦合效应

巨磁电阻自旋阀多层膜作为磁敏传感器材料与磁随机存储器(MRAM)材料，具有高的可靠性与灵敏度，在航空航天等高科技领域有着极大的应用前景。研究多层膜各层间的耦合效应与各层厚度、磁学性能之间的内在关系，对提高自旋阀的巨磁电阻效应、磁灵敏性等具有重要的作用。本研究采用磁控溅射沉积制备了(Cu／Co、Cu／NiFe，Ta／NiFe双层膜与Co／Cu／Co、Co／Cu／NiFe、Co／Ta／NiFe)三明治结构薄膜。采用振动样品磁强计对薄膜磁性、四探针法对薄膜磁阻性能进行了测试研究，采用洛仑兹电子显微镜法观察了薄膜的磁畴结构。研究结果表明，层间耦合效应不仅与非磁性中间层的厚度相关，而且与中间层材料的特性相关。磁阻与磁畴观察均表明层间耦合效应随中间层厚度的增加而减小，而Cu作为中间层的多层膜的层间耦合大于Ta作为中间层的层间耦合。