InSb磁敏电阻角位移传感器的研究

简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理，讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理；针对半导体材料对温度十分敏感的特点，提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法，并对其优缺点进行了讨论。     

极化磁系统永磁工作点的分析与计算

对几种典型极化磁系统的永磁磁通的工作点进行了分析与计算,推导了统一的计算式,所得结论对于永磁磁路的计算与设计具有一定的指导作用.     

军用设备电磁兼容性工程问题探讨

本文介绍了国内外电磁兼容性系统工程的管理，测试标准及测试方法，以及如何用计算机技术进行干扰预测分析的方法，并对国内如何开展电磁兼容性研究，控制提出了几点可供参考的建议。     

飞机电缆敷设的电磁兼容性设计

电缆敷设是影响飞机系统电磁兼容性的一个重要因素.本文从电磁兼容方面对电缆的安装设计进行了分析,介绍了电线电缆的电磁兼容性分类与布线要求,对电缆按地的电磁兼容性技术进行了阐述,并讨论了电缆屏蔽层的接地方式、接地点对电磁耦合的影响.     

近地磁尾准无碰撞磁重联事件

综合分析了ClusterⅡ－C1飞船在2001年9月15日飞越地球磁尾等离子体片区的热离子和磁场观测资料。结果表明，约在0340－0440UT时间期间，资料多次呈现出较强的尾向离子流（VXGSM＜0），明显的南向磁场分量（BZGSM＜0），以及明显的晨－昏向磁场分量BYGSM等特征。由此可以推断，在磁尾等离子体片中，在径向方向XGSE＞－18．6Re范围内，可能发生了多次磁重联事件，整个事件持续期约1h。磁重联事件的观测特征与准无（或半）碰撞磁重联理论的基本图像符合一致，因此这些事件应当是准无碰撞磁重联事件。     

一种动态应变测试系统的屏蔽方法

本文介绍了一种用电阻丝应变片测量动态应变的测量系统的工作环境、干扰源、干扰信号的频率组成及其对有用信号的影响,并提出了相应的屏蔽方法。该系统的有用信号电平是微伏级,信号的频率范围是几周到几百周,受工频干扰最严重。屏蔽后的测试结果表明工频干扰降低了25dB。残余干扰信号折算到输人端为1.8μV。     

立足先进技术 实现崭新跨越——访国际无损检测委员会荣誉委员耿荣生

无损检测是工业发展必不可少的有效工具,在一定程度上反映了一个国家的工业发展水平,其重要性已得到公认。中国在1978年11月便已成立了全国性的无损检测学术组织——中国机械工程学会无损检测分会。在航空航天领域,无损检测技术的应用前景及未来发展趋势怎样?要不断提高我国无损检测技术水平,应重点关注哪些方面?为此,本刊记者对国际无损检测委员会(ICNDT)荣誉委员耿荣生教授进行了专访。     

微磁强计弱磁处理芯片设计与实现

为适应微纳卫星平台的应用需求、实现磁强计的微型化,针对巨磁阻抗(GMI)效应微磁强计的研制需求设计并研制了弱磁信号处理芯片.在分析GMI微磁强计构造的基础上,针对单机(微)小型化提出了弱磁信号处理电路芯片化的方案;结合空间应用特点,设计并实现了基于SOI CMOS工艺的弱磁信号处理芯片.实测结果表明:基于所研制的弱磁信号处理芯片不仅实现了磁强计的微型化、集成化,而且具有良好的弱磁测量性能.     

焊接间隙对铝合金薄板磁脉冲点焊接头组织和力学性能的影响

焊接在航空机体制造中处于至关重要的地位,焊接结构的可靠性很大程度上取决于焊接接头的性能,铝合金作为重要的轻量化航空材料,相关焊接技术对促进航空事业发展具有重要影响。提出了一种用于铝合金薄板连接的磁脉冲点焊技术,实现铝合金板–板固相焊接。通过改变焊件的焊接间隙工艺参数,研究工艺参数对铝合金点焊接头焊接质量的影响。通过光子多普勒速度测量(Photonic doppler velocimetry,PDV)系统获取飞板在变形运动过程中的信息,准静态剪切拉伸试验对接头进行了力学性能的评定,并采用光学显微镜、偏光显微镜和扫描电镜(SEM)分析了焊接接头的微观组织特性。结果表明,当焊接间隙从0.9mm增大到1.5mm时,焊件飞板速度和点焊接头的焊合长度都随之增加,对提升点焊接头性能具有积极作用。综合分析得出,1.2mm的焊接间隙为焊件提供了合适的碰撞速度,焊件力学性能表现最佳。     

La0．9Ba0．1MnO3—δ薄膜的结构及物性研究

通过射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了La0.9 Ba0.1MnO3-δ(IJBMO)薄膜,并得到在不同温度下退火后的薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(STM),X射线光电子能谱(XPS),四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究,结果表明,薄膜在800～850℃温度范围内退火,形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系.退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同.在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30%.