SiCp增强体表面改性对铁基复合材料组织性能的影响

为了改善粉末冶金方法制得的SiCp/Fe复合材料性能，采用化学镀的方法，成功地在SiCp表面沉积镍，考察了颗粒表面改性对铁基复合材料组织性能的影响。结果表明，镀镍层的作用明显：第一，阻碍了SiCp/Fe界面的过度反应以及Si原子向基体中的扩散；第二，镀镍层的存在改善了颗粒与基体的界面状况，使得颗粒能够更好地发挥增强体的作用。     

CVD SiC纤维的组分与强度

采用射频ＣＶＤ法制备出连续ＳｉＣ（Ｗ）纤维，利用ＸＰＳ分析手段研究了纤维的元素组成及形态与强度的关系，结果表明，纤维中的杂质特别是自由Ｓｉ的存在对纤维抗拉强度有很大影响。     

低电阻率Si—C—O纤维制备

采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了Si－C－O纤维先驱体聚合物，并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时，生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征，又具有－CH＝CH－共轭结构特征的－（SiCH3H-CH2)n（CH＝CH）m－共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理，高温烧成制得低电阻率Si－C－O（电阻率小于10^0Ω.cm），而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为10^6Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si－C－O纤维。     

成果简介

碳化硅-硼化钛复合陶瓷电火花加工工艺；S-116改性浇铸尼龙；超智能高可靠机动车电子密码锁；消除4Cr14Nil4W2Mo钢氮化层剥落新工艺；919铝合金。     

电子封装用SiCp/ZL101复合材料热膨胀性能研究

采用无压渗透法制备了SiCp／ZL101复合材料，测定了SiCF／ZL101复合材料在25℃-400℃区间的线膨胀系数值，运用理论模型对复合材料的线膨胀系数进行了计算，分析了热膨胀性能的影响因素。结果表明，复合材料的线膨胀系数比基体合金显著降低，Turner模型对SiCp／ZL101复合材料线膨胀系数的计算值与实验值相接近，复合材料热应力引起线膨胀性能的变化随温度的不同而不同。     

国际参考电离层IRI—90与中国实测电离层月平均电子密度剖面形…

将太阳活动峰年期间中国４个电离层站垂直探测得到的月平均电子浓度剖面与国际参考电离层ＩＲＩ－９０进行了系统的比较，结果表明国际参考电离层所计算的峰下电子含量（或峰下半厚）总体来说偏大，一天中白天符合较好，晚上较差，对中纬台站较好，对低纬台站较差。     

揭开红运国宝"低害"面纱

全球反烟浪潮与日高涨；中国政府2003年11月10日正式签署世界《烟蕈控制框架公约》；国隶烟蕈专卖局2004年韧正式颁布禁令：从2004年7月1日起所有烟草工业企业不再生产焦油含量15毫克以上的卷烟。反烟对烟草行业的强大压力，出于尊重消费健康权的社会责任，红运国宝经过中国人民解放军军事医学科学院的“低危害卷烟”验证，于9月9日在蓉城正式亮相。这是目前川渝唯一、全国为数不多的通过“低危害”验证的卷烟品牌。     

SiC MOSFET短路特性

为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC MOSFET硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC MOSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC MOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导。     

2004年11月一次磁暴期间全球电离层TEC扰动分析

利用全球分布的GPS原始观测数据提取的电离层总电子含量(TEC)分析了2004年11月6日至12日期间全球电离层暴的形态特点与发展过程.结果表明,11月8日磁暴主相期间电离层暴以大范围的强烈正暴为主,在11月10日的恢复相,Dst又一次降到最低值前后期间,电离层再次受到很强的扰动,大范围的正暴和负暴交替出现.这次磁暴期间夏季半球的负暴更加强烈,反映出负暴偏向于在夏季半球发生的季节变化特点.另外,磁暴期间,夜晚TEC值普遍比磁暴前的平静期要低,具体是什么机制导致还需要进一步收集数据和分析.