地球同步卫星BSR硅太阳电池阵输出功率衰减规律分析

长期受粒子辐照、紫外辐照等因素的影响,地球同步卫星的太阳电池阵输出功率会出现较为明显的衰减。这里选取某地球同步卫星使用的背表面反射(BSR)硅太阳电池阵为研究对象,采用光强因子和温度因子修正太阳电池阵的输出功率,使用局部加权回归散点平滑法(LOWESS)分析了其在设计寿命期间的输出功率衰减规律;同时基于LOWESS建立了预测模型,用于硅太阳电池阵超寿运行期间的功率预测。实测数据表明:本文构建的预测模型可以满足超寿地球同步卫星在轨管理使用需求。     

低碳硅锰系结构钢中相变诱发塑性的研究

在低碳硅锰系结构钢中，也可获得ＴＲＩＰ效应，使其力学性能尤其是延伸率大幅度提高。本研究硅含量较高的Ｂ钢残余奥氏体稳定性增强，ＴＲＩＰ效应显著。     

用在动态试验环境中的硅机械传感器

ＤＥＲＡ Ｆａｒｎｂｏｒｏｕｇｈ附属弹药装置与装配研究目前的主要目标是在保证装填器／发射器有效性的情况下改进一个典型的原理性离岸导弹附属弹药的充填度。武器的有效性研究指出实际上离岸导弹（ＳＯＭ）的可行有效载荷为八个５０ｋｇ的附属弹药。这些附属弹药将以两个一组的对称方式发射，对单个目标具有内部程序设定的能力，所以需要了解在发射期间作用在这些附属弹药上的冲击和加速度载荷，ＤＲＥＡ Ｍａｌｖｅｒｎ所进行     

GaInP2外延膜中施主—受主对复合发光带的能量关量

通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。     

30CrMnSiNi2A钢真空热处理时的淬透性

真空热处理由于具有传统热处理所达不到的优点如光亮，净化，脱脂，脱气等，在机械工业部门获得了广泛使用，近年来在航空工业部门其应用也获得了较大的发展，真空热处理设备和工艺技术已逐渐被人们认识和掌握，本文就航空航天工业部中最常用的超高强度钢30CrMnSiNi2A，真空热处理的淬透性工艺试验用硬度法来分析讨论真空热处理时的淬透性问题。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.     

稀土对铝硅合金变质作用研究

本文简要介绍了稀土金属对铝硅合金变质作用研究情况，作用特点；并提出了今后研究发展的方向。     

论"点圆式"工作法在高校德育管理中的运用

面对时代的变化和社会的进步,学校德育工作面临着许多新的机遇和挑战.依据"点圆式"工作法工作原理,可以将学校的德育工作分为对外的外延管理和对内的内涵管理两大工作体系,运用"横向协作"战略开展对外的工作,运用"系统推进,全面提高"战略进行对内的管理工作.