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新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路,一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4·H_2O经腐蚀加工而成。在0~70℃范围内,灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于±0.5%。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术,当电源电压变化±10%时,灵敏的变化不超过±1.5%。 相似文献
54.
采用熔体混熔方法结合挤压铸造制备了Al—8wt.%Si合金。利用SEM、DSC、TEM和力学性能测试等分析手段研究了合金的组织及性能。结果显示,通过将高温的A1-30%Si合金熔体和低温的工业纯铝金属液混和,凝固形成的亚共晶成份Al.08wt.%Si合金中含有3%左右的细小初生si相。与传统熔体变质处理后制备Al.8wt.%Si合金的相比,经初生Si相增强的Al—Si合金拉伸强度达到185MPa,抗弯强度达到437MPa,分别提高15%和19%,同时延伸率增加近1倍达到6.7%。 相似文献
55.
固体火箭冲压发动机补燃室掺混段硅基绝热层冲蚀分析 总被引:1,自引:0,他引:1
硅基绝热层在补燃室高温环境中形成的熔融层受到高速气流的剪切作用,逐渐脱离炭化层,形成冲蚀现象。通过建立冲压发动机绝热层气动吹除过程的数学模型,对发动机绝热层的冲蚀过程进行了数值模拟。结果表明,冲蚀强度同当地气流温度及流速紧密相关;在进气道下游,两进气道之间绝热层受到的冲蚀作用最强;补燃室头部温度较高,但是由于气流流速较低,受气流冲蚀影响较小。对比表明,气流温度与速度共同决定的热流密度控制熔融层的形成速度,对于稳定发展的发动机流场,冲蚀作用主要受绝热层气流速度控制。 相似文献
56.
液相先驱体转化法制备ZrC粉末及合成机理 总被引:4,自引:0,他引:4
以氯氧化锆、丙醇、丙三醇和乙酰丙酮等为基本原料合成了锆的有机先驱体溶液,采用液相先驱体转化法在1 500℃制备了ZrC粉末。运用FTIR对锆的先驱体溶液的组成、结构以及形成机理进行了分析,用XRD和EDS分析了粉末的形成机理,用SEM观察了粉末的形貌。结果表明,有机锆的先驱体溶液具有螯和的链状或网状结构;先驱体溶液干燥后的粉末呈蜂窝状结构,在不同热处理温度下获得面心立方的ZrC粉末。经过热力学计算结果表明,C还原锆的氧化物开始生成ZrC的最低温度为1594℃,实验温度低于理论温度,在1500℃时获得面心立方的ZrC材料。 相似文献
57.
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 相似文献
58.
主要论述全光纤硅谐振微传感器中微弱信号的相关检测技术.研究表明对于高阻抗信号源,有效信号电流仅为纳安级、信噪比很低、谐振频率高达200kHz的微弱信号,可通过选用低漂移、高输入阻抗和宽频带的运放作为前置放大器,并进一步应用相关检测原理,设计出相应的电路,就能极大地提高信噪比,检测出有效信号,实现硅微传感器微弱信号的检测. 相似文献
59.
当前,硅微机械器件引起导航与控制系统传感器开发者们越来越密切的关注,微硅加速度计和角速率传感器最根本的优势在于其体积小,功耗低,相对成本较低,而且与微电睡的组合成本低,可实现。本文介绍了RDC在微硅加速度计和多用传感器研制方面的成果,介绍了硅平衡式加速度计和频率输出型开环加速度计的基本特性,同时,探讨了今后导航和控制系统中硅微机械应用的技术路线。 相似文献
60.
N2O-C2H2原子吸收光谱法测定卫星系统电池外壳铝合金中的硅含量。讨论了燃烧器高度、燃助比、共振线等测定条件的选择方法,以及酸度、温度和N2O-C2H2火焰区对测定精度的影响。实际应用证明,该方法灵敏度高,干扰小,选择性和重复性好,并具有操作简便,易掌握,分析周期短等特点;精密度和准确度均能满足卫星系统电池外壳体研制的要求。 相似文献