GaAs／AlGaAs多量子阱红外控制器耦合效率与光栅周期关系的研究

我们详细研究平面金属光栅耦合ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外光探测器耦合量子效率对光栅周期的依赖关系。为进行这项研究我们制备了光栅周期λ＝１．１，３．２，５．７和１０μｍ五种不同的探测器样品。     

带有CMOS电路的GaAs／AlGaAs多量子阱长红外128线列焦平面探测器

本文讨论了带有１２８元线列ＣＭＯＳ读出电路的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长红外（中心波长９．０μｍ）１２８元线列焦平面组件（以下简称１２８元探测器）并成功进行红外热成像演示，该１２８元探测器由１２８元线列多量子阱探测器与互型金属一氧化物－半导体（ＣＭＯＳ）多路传输器互连，安装在液氮低温致冷器中，通过驱动电路，视频信号处理电路，Ａ／Ｄ转换电路和５８６计算机进行了红外成像演示。     

意大利砷化镓太阳能电池研究概况

与硅光电池相比,砷化镓(GaAs)太阳能电池在空间应用中具有优越性。目前,各个航天大国都在致力于GaAs电池的研究。本文介绍了意大利CISE与Fiar公司在过去几年中研究GaAs太阳能电池的情况、意大利的太阳能电池发展计划及主要空间实验。     

火星尘埃对太阳电池阵的影响与电帘除尘研究

火星表面大量尘埃在太阳电池阵表面的累积将会导致其输出功率下降,甚至使太阳电池阵功能失效。近年来,电帘除尘方法被认为是在火星着陆任务中进行尘埃防护最有效的手段之一。本文开展了火星尘埃累积对三结砷化镓太阳电池性能影响的实验研究,得到了火星尘埃累积量与太阳电池电压、电流和相对输出功率数值模型;通过除尘技术分析,确定电帘除尘装置构型;依据制备得到的除尘电帘,对不同火星尘埃累积下电帘的除尘效率进行了研究,为火星着陆太阳电池阵遥测数据分析和开发自适应除尘太阳电池阵提供有力的技术支持。     

在Si上生长的外GaAs的深化能级研究

本文对在Ｓｉ衬底上用金属－有机的化学汽相沉积法生长的ＧａＡｓ外处膜中的１．０４ｅＶ发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该１．０４ｅＶ发射可用由Ｖ＾１－ＡＳ施主及Ｖ＾１－ＧＡ受主所组成的施主－受主对的复合发光来给予很好解释。     

砷化镓器件发展的现状与展望

本文介绍GaAs器件,重点介绍GaAs场效应晶体管(FET)、单片微波集成电路(MMIC)的发展、测试技术、测试设备的现状与展望。     

先进的砷化镓制造设备

哈里斯微波半导体公司研制了一种先进的GaAs(砷化镓)制造设备,力图成为军用单片微波集成电路(MMIC)的主要生产厂家.哈里斯公司掌握GaAs MMIC从晶体生长(几乎不用铸造工艺)到封装整个电路的每一道生产工序.该公司已对生产厂和设备投资了3000万美元,雇用人员仅70人,年产近 5万个MMIC和多达40万个微波元件(如场效应晶体管).年销售额达1000万美元.哈里斯同通用电气和休斯公司一起参与了DARPA(国防预研项目局)的微波/毫米波MMIC硬件研制计划第一阶段的机载和陆基雷达系统研究工作.这些公司于1988年     

砷化镓异质外延薄膜的近红外光致发光研究

本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。